年产90万片半导体芯片项目立项环境评估报告表.doc

'环境影响报告表建设项目基本情况项目名称年产90万片半导体芯片项目建设单位法人代表通讯地址联系电话建设地点立项审批部门建设性质新建（√）改扩建（）技改（）行业类别及代码【C3971】电子元件及组件制造占地面积(平方米)绿化面积(平方米)/总投资(万元)评价经费/预生产日期2015年12月1、项目内容及概况：GPP芯片是元器件的核心，在电子线路中主要起到整流和线路保护的作用，广泛的应用电源、照明、显示器、汽车整流、IGBT模块等用电线路中。GPP芯片市场前景良好。高级GPP芯片是采用行业内最先进的PhotoGlass工艺生产的芯片，具备高品质、高性能，高信赖度和高利润率，在市场对高品质芯片需求迅猛增长的形势下，拥有巨大的市场潜力和发展前景。安徽芯旭半导体有限公司于2013年5月成立，注册资本500万元，位于、、经济技术开发区，公司主要经营半导体芯片的生产、加工、销售。安徽芯旭半导体有限公司是专业从事高级GPP芯片制造的高新技术产业，是、、市政府重点招商项目之一，属电子信息首位产业核心支撑项目。项目总投资3200万元，在、、市经济技术开发区租用标准化厂房3000平方米，建成1条高级GPP芯片生产线，年产半导体高级GPP芯片90万片。建成达产后可实现年销售收入6000万元，年利税600万元。项目经、、经济开发区经贸发展局（池开管经[2015]2号文）批准立项，立项批复文件见附件。项目具体地理位置详见附图1。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表为进一步做好该项目的环境保护工作，科学客观地评价项目运营对周围环境的影响，根据《环境影响评价法》、《建设项目环境保护分类管理名录》等国家相关法律、法规的规定，该项目需补办环境影响报告表。受建设单位的委托，巢湖中环环境科学研究有限公司为该项目编制建设项目环境影响报告表。依据国家环境保护有关文件和环境影响评价技术导则，编制了该项目环境影响报告表，报请环境保护行政主管部门审查、审批。2、建设内容与规模本项目租用政府标准化厂房2号楼2层3000平方米进行生产建设，其中：生产及辅助用房建筑面积为2000平方米，仓库建筑面积为350平方米，办公用房400平方米。详见表1项目建设内容一览表。表1项目主要建设内容工程类别单项工程名称工程内容工程规模备注主体工程标准化厂房厂房2层设置1条GPP生产线，按照功能分区自东向西依次设置扩散间、清洗间、设备间、光刻区（含显影、烘干、涂玻璃和涂胶）、测试车间、包装间、成品库等达到年产90万片4英寸GPPTVS芯片；建筑面积2000m2已建辅助工程办公用房主要为生产办公、技术研发1层，建筑面积500m2（含厂区员工食堂200m2，容纳50人就餐）已建公用工程供水给水水源由、、市政给水管网供给依托开发区供水管网年用水量11964t依托开发区供水管网排水厂区采取雨污分流；雨水经雨水管网排入市政雨水管网；污水收集后分质处理年排放污水排放量6693t污水处理依托安芯电子污水处理施设供电依托现有供电路线，项目生产车间及辅助设备装机容量约为572KW，计算负荷388KVA。年耗电约180万kwh依托现有供电路线环保工程废气治理废气吸收塔、活性炭纤维吸附系统、油烟净化器、2根排气筒新建噪声治理选用低噪声设备，厂房隔声，基础设施减震新建固废处理生活垃圾由环卫部门收集后统一运至垃圾填埋场卫生填埋；危险废弃物集中收集后临时贮存，送往有资质单位回收处置新建废水处理新建污水管网，生产废水经厂区处理设施处理后与生活污水一起依托安芯电子污水处理措施再处理达到接管标准后排入城东污水处理厂；含镍废水收集后委托有处理资质的单位进行处理新建排水管道、依托安芯电子污水处理措施-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表贮运工程标准化厂房2层最东边作为原材料及成品仓库，东北角设置危废暂存处新建3、总体平面布置本项目位于、、市经济技术开发区富安科技园，项目单位根据生产需要因地制宜、合理布局，在标准化厂房进行合理分区进行生产建设。生产区自东向西依次设置生产区（标准化厂房）、和办公区。生产区根据生产线需要进行合理分区，生产区东向西依次设置扩散间、清洗间、设备间、光刻区（含显影、烘干、涂玻璃和涂胶）、测试车间、包装间、成品库等。办公区设置在厂房2层最西面，与生产区隔开，生产区与办公区通过最北侧一条人流通道连接。具体平面布置见车间平面布置图。本项目地理位置见附图1，项目平面布置见附图2。4、公用工程本项目公用工程公共设施、给排水、消防、供电等均依现有工程：（1）公共设施本项目涉及的公共设施主要依托产业园区工程，项目所在地的市政雨水井、污水井和给水管线、电讯及IP宽带网，以及供电电源电缆等基础设施均落实到位。（2）给排水给水水源由、、市政给水管网供给，可保障本项目的用水需要。城市给水压力不小于0.3Mpa，水质满足国家生活饮用水的卫生标准，给水经水表计量后到各用水点。污水主要为办公生活污水及生产废水。厂区排水系统采用雨、污分流制。污水分质处理，经厂区自建污水处理站处理后达到城东污水处理厂接管要求后进城东污水处理厂进行处理，最终排入长江。（3）消防消防水源采用市政给水管网供水，充足可靠。厂区内的建筑物均按规范要求设置室内消火栓系统和手提式磷酸铵盐干粉灭火器。区内给水管网上设置室外消火栓，间距不超过120米。（4）供电电源由、、市江口变电所配电网供给，以及本项目自身发电互补调节。可满足本项目生产、运营等用电需求。5、产品方案-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表年生产90万片4英寸GPPTVS芯片。产品方案详见表2：表2建设项目产品方案一览表序号产品名称单位产量14英寸GPPTVS芯片万片/年906、主要生产设备项目建设主要的生产设备见下表：表3生产设备明细表工序设备名称设备规格、型号单位数量单价（万元）产地扩散烧纸炉L45系列台120国产ASCUT预扩炉台125国产ASCUT再扩炉台225国产高温干氧化炉台125国产烧结玻璃烧结炉台120国产玻融炉台120国产清洗泡片/析片槽JIS-A-01台425国产ASCUT清洗槽JIS-A-02套1120国产黄光光阻涂布机(双头)ZQA-01台120国产上胶机（手动三轴）1301ARO1台1USD1.25中国台湾黄光RCA蚀刻曝光机1302AR01台1USD4.2中国台湾曝光机台420国产显定影机SVG8600台1USD4.9中国台湾显定影机SVG8600台225国产显影槽JIS-A-03台222国产RCA清洗机JIS-A-10台245国产蚀刻机JIS-A-11台135国产镀焊接面多功能清洗机JIS-A-07台2 0国产蚀刻去氧化膜清洗机JIS-A-12台230国产测试点测机BTZ-3000台432国产划片划片机DS6100台410国产晶粒出货控湿柜ZPR1600个29国产-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表工具显微镜控湿柜无油空压机废水、废气处理系统ZPR1600V30-7/台个台套公共2860250国产国产国产7、主要原辅材料消耗本项目所用原辅材料主要单晶硅及生产性辅助材料，具体如下。表4主要原辅材料一览表序号材料名称成分规格年耗量贮存方式原材料1硅片单晶硅99.999%900，000PCS袋装辅助材料2磷、硼纸P2O5、B2O33”/4”900，000PCS袋装3Hamesol粉阴离子表面活性剂99.5%1，800KG袋装4切割胶带兰膜99.9%150，000M袋装5氨水氨26%18，900L塑料桶装6双氧水过氧化氢35%24，000L塑料桶装7异丙醇异丙醇99.7%10，500KG塑料桶装8光阻剂感光树脂99.5%1，500GL塑料桶装9显影液烷类99.3%28，500L塑料桶装10负胶漂洗液酯类；芳香酮类；99．3%/0.7%9，000L塑料桶装11混酸硝酸、氢氟酸、冰乙酸、硫酸9：9：12：760，000L塑料桶装12GPP混合酸硝酸、氢氟酸、冰乙酸18：1：122，500L塑料桶装13硫酸硫酸9830，000L塑料桶装14氢氟酸氢氟酸49%24，000L塑料桶装15硝酸硝酸、超纯水68%3，900L塑料桶装16盐酸盐酸36%5，750L塑料桶装17镍水氯化镍3.6%2200L塑料桶装18玻璃粉二氧化硅99.5%2，400KG袋装19氮气氮气99.99710T压缩瓶20氧气氧气99.99897.5KG压缩瓶21新鲜水--23139t/a22电--180万kwh项目所用化学品物理化学性质见风险专项分析章节。8、项目劳动定员及工作制度-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表本项目劳动定员为50人，其中管理人员3名、技术人员5人、工人42人。一班工作制，全年运行300天。9、产业政策的符合性项目属于中华人民共和国国家发展和改革委员会发布的《产业结构调整指导目录》(2013年修订)中第一类鼓励类第二十八条机械中第42项“半导体照明衬底、外延、芯片、封装及材料等”，因此本项目符合国家产业政策。10、平面布置合理性本项目位于、、市经济技术开发区富安科技园，项目单位根据生产需要因地制宜、合理布局，在标准化厂房进行合理分区进行生产建设。生产区自东向西依次设置生产区（标准化厂房）、和办公区。生产区根据生产线需要进行合理分区，生产区东向西依次设置扩散间、清洗间、设备间、光刻区（含显影、烘干、涂玻璃和涂胶）、测试车间、包装间、成品库等。办公区设置在厂房2层最西面，与生产区隔开，单独设置进出口，保证人流和物流通畅且不会交叉，两者通过最北侧一条人流通道连接。生产区的噪声、废气等对办公区影响也很小，保证办公人员的良好工作环境。具体平面布置见车间平面布置图。本项目建设满足生产及消防需求，且生活区与办公区隔开，生产区对办公区影响较小。因此，本项目平面布置合理。11、选址及规划可行性安徽芯旭半导体有限公司年产90万片半导体芯片项目的用地属于、、经济技术开发区规划工业用地，根据经济开发区总体规划，项目周围将引入各类工业生产加工企业，本项目的建设与周围环境是相容的。项目为东侧金光大道88号，北侧和西侧分别是3号和4号标准化厂房，已有企业入驻，南侧为闲置空地。项目已经取得开发区经贸局建设备案通知书（池开管经[2015]21号）。因此，具有良好的投资和发展环境，项目选址合适、可行。与本项目有关的现有污染情况及主要环境问题：安徽芯旭半导体有限公司租用、、经济技术开发区2号标准化厂房及办公等附属用房进行生产、办公。本项目属于新建，未正式投入生产，无原有污染情况及存在的主要环境问题。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表建设项目所在地自然环境、社会环境简况-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表自然环境简况（地形、地貌、地质、气候、水文、植被、生物多样性等）：1.地理位置、、市位于安徽省西南部，长江下游南岸，东连铜陵，南接黄山，西邻江西，北濒长江，辖贵池区、东至县、石台县、青阳县和九华山风景区以及国家级、、经济技术开发区。、、地理优越，区位优势明显。地处皖江城市带、长江经济带，是安徽"两山一湖"(黄山、九华山、太平湖)旅游经济圈的重要组成部分。、、港作为长江干线重点港口之一，可常年停泊5000吨级船舶。318国道、206国道、铜九铁路、沿江高速、合(肥)铜(陵)黄(山)高速、安(庆)景(德镇)高速和建设中的、、九华山机场、宁宜城际铁路共同构成便捷的立体交通网络。2.地形、地貌、地质(1)地形、、地处安徽省西南部，东南是黄山山脉与九华山山脉结合地带，北西濒临长江。整个地势由东南向西北逐渐下降，从中山、低山过渡到低山、丘陵，最后到岗地、平原。(2)地貌地貌类型比较复杂，根据地貌组合特征，自东南至西北可分为三个地貌区，且都是北东方向延伸，尤以九华山----牯牛降中山、低山、山间盆地和青阳木镇----东流沿江岗地、平原区，都呈狭长状态，中部青阳县----东至县低山、丘岭、山间盆地面积较大。(3)地质、地震、、大地构造上位于扬子地台东北部，根据地层、构造、岩浆活动的差异，可分别归属于三个次级构造单元，即东至县南部为江南台隆；贵池区和青阳县以北为下扬子台坳；本市的中部为皖南浙台坳。在地壳运动影响下形成一系列褶皱与断裂，本市地层发育齐全，自太古界至新生界均有出露。市内印支期、燕山期岩浆活动强烈，导致一系列基底断裂发生，频繁的岩浆侵入活动，形成了以构造岩浆岩带为主干的成岩成矿系列。厂区地层稳定，无暗河、坍塌等不良地质现象，土层均一，强度高，为良好天然地基。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表3.植被、生物多样性、、地处亚热湿润气候，亚热带典型植物群落类型在这里都很齐全，且生长发育得很好，是常绿阔叶林向落叶林过渡地带，常绿树与落叶树混生，有常绿阔叶林、常绿落叶阔叶混交林落叶阔叶林、针叶林、竹林等，还有一些栽培的亚热带经济林木。全市境内有高等种子植物153科676属1557种（含种及其以下等级，其中野生1430种，栽培127种），其中国家和省重点保护的有26种。组成森林植被的主要种子植物有杉科、松科、柏科、杨柳科、胡桃科、桦木科、壳斗科、榆科、桑科、木兰科、樟科、山茶科、金缕梅科、漆树科、楝科、茜草科、木犀科、蔷薇科、冬青科、豆科、毛茛科、山茱萸科、虎耳草科、柿树科、大戟科、蝶形花科、忍冬科、山矾科等千余种。山区丘陵，竹类资源广泛分布，主要有毛竹、桂竹等十余种，其中毛竹资源最多，且大片成林。重点保护树种有连香树、红豆杉，永瓣藤、香果树、金钱松、黄山木兰、香榧、银鹊树、猬实、青钱柳等。4.气候特征、、地处东经116°38"--118°05"，北纬29°33"--30°51"；气候温暖，四季分明，雨量充足，光照充足无霜期长，属暖湿性亚热带季风气候。年平均气温16°C，年均降水量1500mm，年均日照率45%，年均无霜期220天，最长286天。、、每年最热为7月，平均温度为28.3℃，需注意防暑；最冷为一月，平均温度为3.4℃，年平均风速为3.1米/秒。5.水资源及水文特征、、市域地形为东南高、西北低，自南向北呈阶梯分布，江河湖水面348.4平方公里，占总面积的4%。长江流经、、145km，岸线长162km，上起江西省彭泽县接壤的东至县牛矶，下讫铜陵市交界的青通河口。境内有三大水系十条河流，长江水系有尧渡河、黄湓河、秋浦河、白洋河、大通河、九华河；青弋江水系有清溪河、陵阳河、喇叭河；鄱阳湖水系有龙泉河。流域面积在500平方公里以上的有七条河流，河长618km，其中秋浦河为境内流域中最长的一条河，流域面积3019平方公里，河长149km。、、市地表水资源丰富，全市水资源总量为63.7亿立方米，占全省水资源总量的11%，人均水资源量4326立方米，分别是安徽省和全国平均水平的4倍和2倍。另外，长江多年平均过境水资源量9317亿立方米，枯水年也达到7064亿立方米，丰富的水资源为该市经济社会发展提供了坚强可靠的用水保障。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表社会环境简况：、、市辖贵池区、东至县、石台县、青阳县和九华山风景区以及国家级、、经济技术开发区。2014年，面对复杂多变的宏观环境和艰巨繁重的改革发展稳定任务，全市人民在省委、省政府和市委的坚强领导下，深入贯彻落实党的十八大、十八届三中、四中全会和习近平总书记系列重要讲话精神，主动适应经济发展新常态，创新思路，转变方法，统筹做好稳增长、促改革、调结构、惠民生、防风险的各项工作，经济社会发展保持了稳中有进、提质增效的良好态势。全市生产总值突破500亿元，增长9.2%左右；财政收入92亿元，增长10.2%；固定资产投资540亿元，增长17%；社会消费品零售总额161.2亿元，增长13.5%；进出口总额4.4亿美元，增长7.3%；城镇居民人均可支配收入增长9%，农村居民人均可支配收入增长12%。坚持加快转型升级，工业经济结构不断优化。紧紧围绕主导产业定位，在转型升级中做大总量。规模工业增加值166.3亿元，增长12.5%，增幅居全省第三；新增规模以上工业企业79户；工业化率38.5%，同比提升0.6个百分点。“十二五”期间，、、以全面转型、加速崛起、强市富民为主线，大力实施生态立市、工业强市、旅游兴市、商贸活市、文化名市战略，着力推动绿色发展、开房发展、创新发展、和谐发展，加快推进产业低碳化、城市人文化、农村社区化、民生幸福化进城，努力建设经济繁荣、环境优美、社会和谐、生活富裕的国家级生态经济示范区和世界级旅游目的地，为全面建设小康社会奠定坚实基础。、、市“十二五”规划中，指出总体目标是：到2015年，在全省“总量居中、人均居前、速度居先、环境居优、民生居上”，努力使全市转变经济发展方式取得实质性进展，综合实力、核心竞争力、可持续发展能力显著提高，人民物质文化生活明显改善，为到2020年全面建成更好水平小康社会打下具有决定性意义的基础。经济开发区是、、市政治、经济、文化中心。全区总面积2516平方公里，人口65万，辖9个镇8个街道办事。处位优越，交通便捷，是长江经济带和皖南旅游区的西北门户，同时又是国家唯一的生态经济示范区。长江“黄金水道”横贯全区76多公里，国家一类港口、、港四季可停靠万吨级轮船。318国道、沿江高速和铜九铁路贯穿全境。2014年，政府制定实施省级以上开发园区产业发展指导目录，推动工业园区集中、“两高一首”产业集聚、科技创新集成、转型发展集效，全市园区完成投入370-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表亿元，主导产业集中度82%，对全市规模工业的贡献率77.7%，同比分别提高2个、1.3个百分点。江南产业集中区产业承载功能持续完善，新引进落户项目90个，其中投产26个，完成固定资产投资71.5亿元、增长18.2%，实现财政收入4亿元。市开发区列入首批国家低碳工业园区试点。县区工业园区产业竞争力进一步增强，前江工业园区销售收入率先突破百亿元。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表环境质量状况建设项目所在地区域环境质量现状及主要环境问题（环境空气、地表水、地下水、声环境、生态环境）1、环境空气质量建设项目所在地位于、、市经济开发区金光大道88号，引用据、、市环境监测站日常监测数据，区域环境空气质量现状如下：表5环境空气质量监测表单位：mg/m3地点统计时段SO2NO2PM10项目所在地日均值范围0.012～0.0200.013～0.0190.044～0.062GB3095-1996二级标准中日平均值日均值范围0.150.120.15监测结果表明，区域内大气环境质量总体状况良好，NO2、SO2、PM10浓度均满足GB3095-1996《环境空气质量标准》及其修改单中的二级标准的要求，总体环境空气质量良好。2、地表水环境质量项目附近地表水体为长江，项目产生的废水经企业污水处理站处理后，排放至开发区污水管网，最终接入经开区污水处理厂处理，达标后再排入长江水体。引用据、、市环境监测站日常监测数据，长江现状水质监测结果如下：表6地表水监测结果单位：mg/l（pH除外）监测点位pHCODBOD5SS石油类城东污水处理厂排污口上游500m7.18~7.209.652.011.50.015排污口7.34~7.3618.352.0190.03城东污水处理厂排污口下游1000m7.26~7.2812.62.09.50.015Ⅲ类标准6～9204.0-0.05由上表可见，项目纳污水体的pH、COD、BOD5指标值均能满足《地表水环境质量标准》（GB3838-2002）中的Ⅲ类水质标准。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表3、区域环境噪声据、、市环境监测站监测数据。环境噪声数据见表12。表7项目声环境现状监测布点一览表单位：dB（A）编号监测点位昼间夜间执行标准1#厂界东侧53.742.4GB3096-2008《声环境质量标准》中的2类标准：昼间：60dB(A)，夜间：50dB(A)2#厂界南侧52.741.63#厂界西侧53.941.44#厂界北侧52.642.8根据现状噪声监测结果，建设项目的现状噪声值均可满足区域内环境噪声GB3096-2008《声环境质量标准》中的2类标准要求。4、环境生态、、是泛“长三角”地区的“后花园”，环境优美，生态优良。境内气候温暖湿润，江河水系发达，森林覆盖率达57％，是中国第一个生态经济示范区。项目选址处主要为城市规划工业用地，基本无野生动物资源。无原生自然植被，仅有一些次生林及人工林。项目所在地土壤成土母质多为花岗岩中马岩以及砂页岩等残积、坡积物和第四纪红色粘土，土壤耕作层较深，基本无野生动物资源。主要环境保护目标（列出名单及保护级别）：评价范围内无自然保护区、风景旅游点和文物古迹等需要特殊保护的环境敏感对象。具体环境保护目标见下表：1、评价区空气质量满足GB3095-1996二级标准。2、评价区内噪声环境达到《声环境质量标准》（GB3096-2008）中2类标准。3、地表水环境执行《地表水环境质量标准》（GB3838－2002）Ⅲ类标准。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表表8主要环境保护目标一览表环境要素保护对象名称方向距离规模环境功能声环境项目区///2类大气环境项目区///二级水环境长江北1.5公里大型Ⅲ类-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表评价适用标准环境质量标准1、大气环境评价区执行《环境空气质量标准》（GB3095-1996）二级标准；SO2、NO2、TSP、PM10执行《环境空气质量标准》（GB3095-1996）及其修改单中二级标准，氟化氢执行《环境空气质量标准》（GB3095-1996）及其修改单中二级标准中氟化物标准，氯化氢、硫酸、氨气执行《工业企业设计卫生标准》（TJ36-79）；VOCs参照执行《室内空气质量标准》（GB18883-2002）中相关标准。具体标准值见表9。表9环境空气质量标准单位：mg/Nm3污染物名称取值时间浓度限值标准来源SO2日平均0.15《环境空气质量标准》（GB3095-1996）及其修改单中二级标准1小时平均0.50NO2日平均0.121小时平均0.24TSP年平均0.20日平均0.30PM10年平均0.10日平均0.15氟化物日平均7（µg/Nm3）1小时平均20（µg/Nm3）HCl日平均0.015《工业企业设计卫生标准》（TJ36-79）1小时平均0.05硫酸一次值0.3日平均0.1氨气一次值0.2VOC8小时均值0.6参照《室内空气质量标准》（GB18883-2002）2、地表水环境地表水长江执行《地表水环境质量标准》（GB3838-2002）Ⅲ类标准，标准值见表10。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表表10地表水环境质量标准（单位：mg/L）项目pHCODBOD5氨氮总磷石油类氟化物阴离子表面活性剂Ⅲ类6~92041.00.20.051.00.23、声环境项目厂界噪声执行《声环境质量标准》（GB3096-2008）中2类标准，昼间60dB（A），夜间50dB（A）。表11声环境质量标准标准值（Leq：dB（A））依据昼间夜间6050(GB3096-2008)中的2类标准污染物排放标准1、大气污染物氟化氢、氯化氢及氮氧化物等分别执行《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表2二级标准；VOC参照执行《天津市工业企业挥发性有机物排放控制标准》（DB12/524-2014）表2中“电子工业半导体制造”标准，VOC无组织厂界浓度执行DB12/524-2014中表5厂界监控点其他行业浓度限值要求。具体标准见表12。表12大气污染物排放标准执行标准标准级别污染物名称浓度mg/m3排气筒高度m速率kg/h无组织排放周界外浓度限值mg/m3《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）二级氟化物9.0150.120（µg/Nm3）氮氧化物2400.770.12非甲烷总烃120104.0颗粒物1203.51.0硫酸雾451.51.2氯化氢1000.260.20（DB12/524-2014）表2电子工业VOC200.72.0（厂界）-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表食堂油烟排放执行《饮食业油烟排放标准（试行）》（GB18483-2001）中“中型”标准，标准值见下表。表13饮食业油烟排放标准分类小型中型大型基准灶头数≥1，<3≥3，<6≥6最高允许排放浓度（mg/m3）2.0净化设施最低去除效率（%）6075852、废水污染物废水排放执行城东污水处理厂接管标准值，接管标准没有列出的执行《污水综合排放标准》GB8978-96中的三级标准，经处理后达《城镇污水处理厂污染物排放标准》GB18918-2002一级B标准后排入长江。主要指标见下表。表14水污染物排放标准单位：mg/L序号污染物名称城东污水处理厂接管标准值(mg/L)城镇污水处理厂污染物一级B排放标准(mg/L)1pH6～96～92COD500603BOD5300204SS400205氨氮-8（15）6石油类2037色度-308氟化物20109阴离子表面活性剂20110镍10.053、噪声厂界噪声执行《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）中2类区标准，昼间60dB（A），详见表15。表15工业企业厂界环境噪声排放标准（dB（A））类别昼间夜间2类6050-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表4、固废固体废物执行《一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准》（GB18599-2001）中的有关规定和要求；危险废物执行《危险废物贮存污染控制标准》GB18597-2001中的有关规定和要求；总量控制指标建设项目污染物总量控制指标如下：建设项目废水经厂区污水处理设施预处理后送城东污水处理厂进一步处理，废水中污染因子总量纳入城东污水处理厂总量范围，无须重复申请总量。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表建设项目工程分析1.生产线工艺流程简述生产工艺流程及产污环节见下图：委托安芯电子加工-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表委托安芯电子加工图1-1生产工艺流程图及产污节点生产工艺流程简述：-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表芯片生产过程Haemo-sol粉碱液清洗以及各种酸洗槽酸洗中，酸洗液、碱洗液可以循环使用，经建设单位核实，反复使用15次后进行更换。1.清洗、水洗：外购的硅片经物理筛选，根据硅片的厚度及大小分成不同的规格，筛选出同样大小及厚度的硅片统一进行下一工序，先在碱洗槽中用Haemo-sol粉的碱液进行清洗，去除油污以及硅片表面粉尘，然后放入9：9:12:7硫酸：氢氟酸：硝酸：乙酸中进行清洗，混酸氧化性较强，可以去除硅片表面的氧化层同时进一步去除表面粉尘，经混酸清洗后用去离子水反复冲洗，冲洗10次，硅片表面洁净后进下一工序。此工序会产生定期排放的废酸、废碱、去离子水清洗废水、酸雾等污染物。废酸、废碱、去离子水清洗废水经清洗槽底部管道排入项目污水管网，进厂区污水站处理。酸雾经酸洗槽上部集气罩收集后通入废气洗涤塔进行进一步处理。2.扩散、喷砂（委托安芯加工）。3.硅片清洁：打磨后的晶片先通入碱液进行超声波清洗，清洗后通入1:10氢氟酸进行进一步清晰，最后用去离子水反复冲洗，冲洗过程产生一定量的废碱、废酸和废水，清洗干净进下一工序。此工序产生的污染物主要为酸雾、废酸、废碱、无离子水清洗废水。4.硼扩散：在晶片另一侧装入硼纸（主要成分为B2O3），通过1260度高温进行扩散，通入N2/O2作为保护气体，扩散后的晶片将会沉积一层B2O3,并通过长时间扩散，使晶片中单质磷和单质硼都形成一定厚度符合欧姆接触要求的N+和P+，实现P+-N-N+结构控制区宽度到规定范围，满足电性要求。此过程产生的废气主要为硼纸高温燃烧产生的二氧化碳。5.密闭喷砂、清洗：硅片表面进行吹砂，去除表面氧化层，同时将表面打磨粗糙以便下一工序涂覆，吹砂后的晶片分别经过碱液、1:10氢氟酸清洗去掉浮渣再用去离子水反复冲洗，冲洗干净后进入下一工序。此工序会产生定期排放的废酸、废碱、去离子水清洗废水、酸雾、粉尘颗粒等污染物。6.-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表铂金扩散、密闭吹砂：在晶片表面涂铂金层作为扩散源，铂金水由铂金粉和少量异丙醇配比而成，涂布结束后待异丙醇挥发后进行铂金扩散，在规定的温度内进行短时间扩散，即填隙替位双重机理方式扩散（铂金相浓度较高，高温情况下由浓度高的铂金水异丙醇液态相一侧向浓度低晶片表面进行扩散）。扩散后经吹砂去除表面氧化层。铂金扩散主要为物理过程，铂金以单质形态存在废水中，经沉淀后以废渣形式收集外售；铂金扩散主要在有机溶剂中进行，此过程产生的有机溶剂废气经管道送至活性炭吸附装置进行处理，最终经2#排气筒排放。7.光刻：将晶片在涂胶机上涂上光刻胶（光敏材料），在曝光机上进行曝光，将光刻板上的图形转移到光刻胶上，曝光后在被曝光的光刻胶上形成一定的形状，再放入显影液中，溶解去爆过光的光刻胶，未经曝光的光刻胶保留下来，得到所需形状。光刻后用异丙醇清洗，去除表面残余的光刻胶。此过程产生的废显影液送元销售厂家回收。8.一次蚀刻：通过混酸的配比对显影后的晶片进行腐蚀，未曝光的光刻胶被腐蚀掉后暴漏芯片上的PN结，同时将晶片分成若干晶粒。此过程产生一定量的废酸、废水、酸雾。9.去光阻：通过硫酸和双氧水进行配比去除表面光阻剂，使晶片表面暴漏出来，然后用去离子水冲洗干净。此过程产生一定量的废酸、废水、酸雾。10.RCA清洗：依次采用酸洗、碱洗去除晶片表面的有机物、氧化层等杂质，从而得到洁净的PN结表面。此过程产生一定量的废酸、废水、酸雾。12.玻粉烧结、二次光刻：在800度的温度下通入氧气作为保护气体，将玻粉熔融成玻璃态增加其致密性从而具有较强的钝化作用，在低温400度的温度下通入硅烷和氧气，使得晶体表面沉积一层二氧化硅膜，增加对玻璃层的机械保护，该过程会产生未完全反应的一氧化二氮和硅烷的混合废气。沉积后的晶片表面形成二氧化硅膜，再进行三次曝光，得到所需形状。三次黄光结束后用异丙醇清洗去除残余光阻剂。此过程产生一定量的有机废气、酸雾、废酸、废碱、废水、废显影液、废光阻剂。13.沉积：（委托安芯加工）。14.去胶：用混酸将表面的SIPOS膜去除，然后用去离子水冲洗干净。此过程产生一定量的酸雾、废酸、废水。15.去光阻：用硫酸和双氧水去除表面的光阻剂，使晶体表面暴露出来，然后用去离子水冲洗干净。此过程产生一定量的酸雾、废酸、废水。16.镍蒸镀：洗净后的晶片，放入密闭的蒸镀机内，通过蒸发的方式在表面上一层镍层、金层；蒸金是增强对镍的保护，使镍层不被氧化，同时增强浸润效果。此过程产生一定量的含镍废水等，含镍废水收集后送往有处理资质单位处理。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表主要污染物来源分析：1、大气污染源由于半导体工艺对操作环境的清洁度要求比较高，主要采用集气罩收集工艺过程中挥发的各类废气，半导体行业废气排放具有排气量大，排放浓度小等特点。废气主要来自芯片的清洗、光刻、蚀刻和二氧化硅沉积等工序产生的有机废气、酸碱性废气、特殊气体废气、食堂油烟废气等。有机废气本项目有机废气主要包括以下几个部分：芯片有机溶剂清洗、铂金水涂覆以及光刻类有机废气。本项目芯片清洗工序中需要用到异丙醇清洗，清洗过程在密闭容器中进行，常温、常压的条件。芯片进出清洗槽过程中产生异丙醇挥发气体，经集气罩收集后有组织排放。本项目铂金水中含有异丙醇成分，在涂覆过程挥发，废气经集气罩收集后有组织排放。光刻是半导体器件制作中最常用的工艺，将玻璃板的图形转移到晶片的光刻胶上，一般的光刻工艺流程包括前处理、匀胶、前烘、对准曝光、显影、后烘，具体操作可根据实际情况进行调整，光刻过程产生有机废气，表现为特征污染物非甲烷总烃。本项目有机废气产生量为：根据同行业类比，异丙醇使用过程中散逸到空气中总量为使用量的2.38%，项目年使用异丙醇10500kg，因此散逸到空气中异丙醇总量为250kg/a，该部分废气通过设备顶部收集系统收集后通过活性炭吸附，最后经15m高排气筒排放，收集效率90%；根据同类项目类比，非甲烷总烃产生量为480kg/a，经集气罩收集后，通过活性炭吸附，最后经15m高排气筒排放，收集效率90%。酸碱性废气酸碱性废气主要来自芯片清洗过程。芯片酸洗、碱洗工序中产生的污染物主要为各种酸和氨水挥发等产生的氯化氢气体、硝酸雾、硫酸雾、氟化物、乙酸、氨气。酸碱性废气主要为酸洗槽、碱洗槽废气，其中酸洗废气酸雾计算根据如下公式进行分析，本项目酸洗槽为1.2*1*1大小。液体（除水以外）蒸发量的计算-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表　　本计算方法适用于硫酸、硝酸、盐酸等酸洗工艺中的酸液蒸发量的计算，其计算公式如下：　　Gz=M（0.000352+0.000786V）P·F　　式中，Gz——液体的蒸发量，kg/h；　　M——液体的分子量；V——蒸发液体表面上的空气流速，m/s，以实测数据为准，无条件实测时，可查表5-145，一般可取0.2-0.5；　　P——相应于液体温度下的空气中的蒸气分压力，mmHg。F——液体蒸发面的表面积，m3。经计算本项目酸性废气产生量如下：氯化氢0.048t/a、硝酸雾0.307t/a、硫酸雾0.221t/a、氟化物0.288t/a（其中氟元素0.272t/a）、乙酸0.403t/a；类比同行业相同规模厂家，本项目氨气0.072t/a。酸碱性气体经集气装置收集后均采用吸收塔吸收法进行处理；有机废气通过活性炭纤维吸附处理。收集废气的风机分别8000m³/h，项目每天生产8小时，风机的工作时间为8h/d，则废气产生量为酸性废气1920万m³/a，有机废气1920万m³/a。经治理后的废气通过2根15m排气筒（安装位置见平面图）高空排放，收集效率为90%。无组织排放废气本项目营运期无组织排放的废气主要来自污水处理站和生产车间。本项目生产车间内废气VOC含（异丙醇、非甲烷总烃）、氯化氢、硝酸雾、硫酸雾、氟化物、乙酸、氨气等经装置收集后进行分别处理，未收集的部分以无组织的形式排放。建设项目大气污染物排放量（含有组织排放和无组织排放）具体见下表。表16项目全厂大气污染物排放估算表序号污染物名称污染源位置产生量Kg/a有组织排放量Kg/a处理方案无组织排放量Kg/a处理方案面源面积m21HCL生产车间（废气量1920万m³/a）0.0480.00864风量为8000m³/h）风机提供负压通过集气罩收集气体，集气罩收集效率为90%，酸雾塔吸收效率为80%，达标后15米排气筒（1#）高空排放0.0048无排气筒，通过车间通风自然扩散20002硝酸雾0.3070.055260.03073硫酸雾0.2210.039780.02214氟化物0.2280.051840.02885乙酸0.4030.072540.04036氨气0.0720.12960.0072-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表7VOC（异丙醇）生产车间（废气量1920万m³/a）0.2500.09风量为8000m³/h）风机提供负压通过集气罩收集气体，集气罩收集效率为90%，活性炭纤维吸附处理效率为60%，达标后15米排气筒（2#）高空排放0.025VOC（非甲烷总烃）0.480.17280.0482、废水污染物（1）建设项目给、排水给水：建设项目由给水由、、市政给水管网供给。生活用水本项目劳动定员为50人，按50L/人·日计，则办公生活用水量为750t/a（2.5t/d）。废气洗涤塔用水建设项目设置一个酸碱废气洗涤塔，处理酸碱废气，废气洗涤塔为水洗，经建设单位核实废气洗涤塔日用水量为0.8t/d，排水量为0.75t/d，损耗0.05t/d。地面保洁用水该项目生产车间地面需要定期冲洗，按照项目需清洗车间的冲洗面积为200m2，地面冲洗面积按照0.95系数计算，按照7天冲洗一次，全年共40次，每次按0.2L/m2计算，则每次地面冲洗用水量约为0.4t，即地面冲洗用水量15.3t/a；纯水制备用水本项目纯水制备能力为9t/h，日运行4h，新鲜水消耗量为34.75t/h。制备后的纯水用于酸碱性清洗水配水、切割冷却水、碱液清洗水配水、去离子水清洗水。蚀刻工艺、镀镍工艺用水根据项目业主提供资料本项目生产需进行蚀刻和镍蒸镀，所使用的水为去离子水，来源于厂区纯水制备系统，使用量为2.0t/d。循环冷却水补充用水经建设单位核实，本项目循环冷却水补充用水量1.5t/d。综上项目年用水量为：11964t。排水：-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表建设项目排水主要来自生活污水、生产废水、地面保洁废水。生产废水主要为酸洗废水、碱洗废水、去离子水清洗废水、有机溶剂清洗废水、切割冷却水废水、废气洗涤塔排水等。其中酸洗槽、碱洗槽、有机溶剂清洗槽内废水定期排放，经建设单位核实，废水平均7天排放一次，本次废水排水量核算成每天的量，具体分析如下：①生活污水本项目用水量为750t/a（2.5t/d）。污水产生系数按0.8计，合计办公生活污水产生量为600t/a（2.0t/d）。生活废水经厂区化粪池处理后，通过管道接入市政污水管网。②废气洗涤塔排水经建设单位核实废气洗涤塔废水循环使用，每10天排放一次，排放量为7.5t，平均每天废水排放量为0.75t，废气洗涤塔废水经管道接入厂区污水站进行处理，处理达标后接入厂区污水排口排放。③酸洗废水本项目为芯片生产，酸洗为本项目生产重要部分，酸洗主要在酸洗槽进行，酸洗槽可清洗15次左右，酸洗效果达不到生产需求时需定期排水，酸洗槽槽底设置排水管道，废水经管道送入污水站进行进一步处理，处理达标后接入厂区污水排口，酸洗槽废水排放量约0.15t/d。④碱洗废水本项目碱洗主要在碱洗槽进行，碱洗槽可清洗15次左右，碱洗效果达不到生产需求时需定期排水，碱洗槽槽底设置排水管道，废水经管道送入污水站进行进一步处理，处理达标后接入厂区污水排口，酸洗槽废水排放量约0.1t/d。⑤有机溶剂清洗废水本项目需异丙醇进行芯片清洗，清洗在清洗槽进行，清洗槽槽底设置排水管道，废水经管道送入污水站进行进一步处理，处理达标后接入厂区污水排口，废水排放量约0.06t/d。⑥蚀刻废水、含镍废水本项目生产需进行蚀刻和镍蒸镀，蚀刻废水含硅盐，镀镍废水含金属镍，这两种废水单独收集处理；蚀刻废水量1.0t/d，与其他废水一起进安芯电子污水处理站处理；含镍废水在车间废水排口处设置暂存池，收集后委托有处理资质单位处理。不得和其他废水混合处理。⑦清洗废水本项目去离子水清洗主要含酸洗废水、有机溶剂清洗废水，反应槽和清洗槽-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表槽底设置排水管道，废水经管道送入污水站调节池，在调节池中调节水质和水量后再被提升至后续处理工艺进行进一步处理，清洗废水产生量为15t/d。⑧切割废水芯片在切割工段芯片的温度较高，需要用去离子水进行冷却，冷却后的废水悬浮物较高不能循环利用，废水经管道排放至污水站进行进一步处理，废水量5t/d。⑨地面保洁废水地面冲洗用水量0.33t/d，排水量0.3t/d，废水经车间排水槽排入污水站进一步处理。⑩纯水制备浓水本项目纯水制备浓水产生量为12t/d，废水经车间管道进入市政污水管网。废水经厂区污水管网进入安芯电子污水站处理达到城东污水处理厂接管要求后入城东污水处理厂处理，最终排入长江。总上项目年产生废水量为6693t。（2）建设项目水平衡图如下：-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表图2建设项目水平衡图单位t/d3、噪声源-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表本项目在生产运营过程中，噪声主要来自风机、循环水泵、切割机、扩散炉、玻璃熔炉、吹砂机、研磨机、空压机噪声范围在75~90dB（A）之间。4、固体废弃物本项目营运期产生的固体废弃物主要为危险废物和一般固废：①一般固废：职工产生的生活垃圾。本项目劳动定员为50人，按0.5kg/人·日计，则生活垃圾产生量为7.5t/a；废金刚砂及袋式收尘器收集的金刚砂粉尘；废包装材料、废塑料等，具体废弃物产生量见下表。②危险废物：废溶剂、废显影液、化学品包装废物、有机废气处理废活性炭等。危险废物在场内设置危废暂存处，收集后送有资质的单位处理。表17拟建项目固体废物产生及处置情况序号名称分类编号产生量（t/a）处理方式排放量（t/a）1废显影液HW161.28用塑料桶存放于厂内危废暂存处后送原厂家回收02废铂金渣等--0.0103废有机溶剂HW061.16用塑料桶存放于厂内危废暂存处（2层东北角），收集后送有资质单位安全处理04化学品包装废弃物HW491.005废滤芯--1.006有机废气处理废活性炭HW065.007废金刚砂及砂粉--1.3由市政环卫部门定期清运、卫生填埋08废纸板等--2.009生活垃圾997.50-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表项目主要污染物产生及预计排放情况内容类型排放源（编号）污染物名称处理前产生浓度及产生量排放浓度及排放量大气污染物生产车间VOC（含异丙醇、非甲烷总烃）38mg/m30.730t/a0.01141mg/m30.2196t/aHCl2.5mg/m30.048t/a0.00045mg/m30.00864t/a硝酸雾16mg/m30.307t/a0.00288mg/m30.05526t/a硫酸雾11.5mg/m30.221t/a0.00207mg/m30.03978t/a氟化物15mg/m30.288t/a0.0027mg/m30.05184t/a乙酸21mg/m30.403t/a0.00378mg/m30.07254t/a氨气3.75mg/m30.072t/a0.00666mg/m30.1728t/a食堂油烟5.0mg/m30.006t/a1.25mg/m30.0015t/a水污染物生产综合废水（6693t/a）COD476.19mg/L3.19t/a60mg/L0.402t/aBOD393.33mg/L2.64t/a20mg/L0.134t/aSS364.11mg/L2.44t/a20mg/L0.134t/aNH3-N28.42mg/L0.19t/a8mg/L0.0536t/aF—33.49mg/L0.224t/a10mg/L0.067t/aLAS1.63mg/L0.11t/a1mg/L0.0054t/a镍10mg/L0.0045t/a0mg/L0t/a固体废弃物危险废物废溶剂、废显影液、化学品包装废物、废活性炭、废滤芯及废铂金渣废显影液1.28t/a，废有机溶剂1.16t/a，化学品包装废物1.0t/a，废活性炭5.0t/a，废铂金渣等0.01t/a废显影液、铂金渣送原厂家回收，其他送有资质的单位安全处理一般固废废金刚砂废纸板废金刚砂2.3t/a，废滤芯1.0t/a，废纸板2.0t/a由环卫部门收集处理职工生活污泥、办公生活垃圾生活垃圾7.5t/a，污泥2.0t/a噪声本项目噪声主要来源于生产工段设备运转，主要高噪声设备有风机、切割机、吹砂机等，声级范围为75-90dB(A)。其他/-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表主要生态影响：本项目选址处主要为城市规划工业用地，基本无野生动、植物资源。且本项目的施工和建筑场地为建筑规划的空地，不增加土地的开发和植被的破坏，因此，本项目的建设对生态环境影响较小。环境影响分析-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表施工期环境影响分析：本项目于、、经济技术开发区新建标准厂房及办公等辅助用房，厂房及管网等公辅工程已建成，本项目施工期已结束，施工期环境影响分析从略。营运期环境影响分析：本项目为芯片生产，产生废水、废气较多，营运期环境影响分析如下：一、大气环境影响分析建设项目废气主要为工艺有组织及无组织废气，食堂油烟等。1.有组织废气工艺有组织废气主要为VOC（含异丙醇、非甲烷总烃）、氯化氢、硝酸雾、硫酸雾、氟化物、乙酸、氨气，本次环评有组织排放废气的环境影响预测采用《环境影响评价技术导则大气环境》（HJ2.2-2008）中推荐的估算模式。有组织废气产生系数见下表。表18有组织废气产生系数污染源污染因子废气量m3/h产生情况排放情况排放源参数mg/m3t/amg/m3t/a有组织排放酸洗HCL生产车间（废气量1920万m³/a）2.50.0480.000450.00864风量为8000m³/h）风机提供负压通过集气罩收集气体，集气罩收集效率为90%，酸雾塔吸收效率为80%，达标后15米排气筒（1#）高空排放h=15md=0.4mT=20℃硝酸雾160.3070.002880.05526硫酸雾11.50.2210.002070.03978氟化物150.2880.00270.05184乙酸210.4030.003780.07254碱洗氨气3.750.0720.006660.1728光刻VOC（含异丙醇、非甲烷总烃）生产车间（废气量1920万m³/a）480.730.011410.2196风量为（8000m³/h）风机提供负压通过集气罩收集气体，集气罩收集效率为90%，活性炭纤维吸附处理效率为60%，达标后15米排气筒（2#）高空排放经计算，各种废气的排放浓度和排放速率详见表19；表19废气排放浓度及排放速率一览表污染因子HCL硝酸雾硫酸雾氟化物乙酸氨气VOC(异丙醇、非甲烷总烃)-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表排放浓度（mg/m3）0.000450.00290.002070.00270.003780.006660.01141排放速率（kg/h）0.00360.00230.0170.02160.030.0720.0915综上所述：本项目生产性有组织废气排放达到（GB16297-1996）《大气污染物综合排放标准》规定的二级排放标准及（GB14554-1993）相关标准要求；VOC排放满足《天津市工业企业挥发性有机物排放控制标准》（DB12/524-2014）表2中“电子工业半导体制造”标准，可以达标排放。食堂油烟本项目食堂使用液化气为燃料。厨房在烹饪过程中有油烟产生，主要由直径10-7～10-3cm不可见微油滴组成。项目配设2个灶头，为职工提供工作餐，企业员工人数50人，供应三餐，日就餐人数为50人次。食用油用量按照0.02kg/人次·天计，则全年耗油量为0.3t。据类比分析，不同的烧炸工况，油烟气中烟气浓度及挥发量均有所不同，油的平均挥发量为总耗油量的2%，经估算，本项目产生油烟量为0.02kg/d（0.006t/a）。按照日运营2h，灶头设置的引风机风量为2000m3/h，则油烟产生浓度约为5.0mg/m3，油烟净化器效率为75%，经油烟净化器处理后油烟产生排放约为1.25mg/m3，经抽排风后其浓度可以满足《饮食业油烟排放标准》（GB18483-2001）中型标准要求2.0mg/m3。2.无组织排放废气本项目营运期无组织排放的废气主要来自污水处理站和生产车间。本项目生产车间内废气异丙醇、非甲烷总烃、氯化氢、硝酸雾、硫酸雾、氟化物、乙酸、氨气等经装置收集后进行处理，但不可能完全收集，未收集的部分以无组织的形式排放，根据经验废气收集装置的收集效率为90%。本次环评以无组织排放源进行大气防护距离及卫生防护距离计算。项目无组织排放源强参数见下表：表19无组织排放的废气源强参数序号污染物名称污染源位置污染物产生量Kg/a排放情况面源面积m2面源高度m1HCL生产车间0.0048无组织排放，无排气筒，通过车间通风自然扩散20006.52硝酸雾0.03073硫酸雾0.02214氟化物0.02885乙酸0.0403-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表6VOC（异丙醇非甲烷总烃）0.0737氨气0.0072根据《环境影响评价技术导则-大气环境》（HJ2.2-2008），无组织排放源需采用推荐模式中的大气环境防护距离模式计算大气环境防护距离；同时参照GB/T13201-91《制定地方大气污染物排放标准的技术方法》，无组织排放的有毒有害气体应设置卫生防护距离。大气防护距离与卫生防护距离（1）大气环境防护距离采用《环境影响评价技术导则〈大气环境〉》(HJ2.2－2008)推荐模式中大气环境防护距离模式计算无组织排放源的大气环境防护距离。计算出的距离是以车间中心点以及污水站中心点为起点的控制距离，确定控制距离范围，超出厂界以外的范围，即为项目大气环境防护区域。1）源强与参数选择根据上述分析可知，项目无组织排放的废气主要为氨气、异丙醇、非甲烷总烃、氯化氢、硝酸雾、硫酸雾、氟化物、乙酸、氨气等。排放源强见表19。2）大气环境防护距离计算结果及分析根据估算模式和大气环境防护距离模式，预测结果如下：表20大气环境防护距离计算表污染因子面源有效高度（m）面源宽度（m）面源长度（m）Cm（mg/Nm3）排放速率（kg/h）超标点防护距离（m）氨气2.410120.2（一次值）0.00004无0HCL6.540500.2（最大一次）0.000002无0硝酸雾0.25（1小时）0.000013无0硫酸雾0.3（最大一次）0.000092无0氟化物0.02（1小时）0.000095无0乙酸（醋酸）0.2（最大一次）0.000017无0异丙醇0.6（最大一次）0.00001无0非甲烷总烃2.00.00002无0氨气0.2（最大一次）0.000003无0-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表根据《环境影响评价技术导则-大气环境》（HJ2.2-2008），无组织排放源需采用推荐模式中的大气环境防护距离模式计算大气环境防护距离；同时参照GB/T13201-91《制定地方大气污染物排放标准的技术方法》，无组织排放的有毒有害气体应设置卫生防护距离。（2）卫生防护距离参照GB/T13201-91《制定地方大气污染物排放标准的技术方法》，无组织排放的有害气体进入呼吸带大气层时，其浓度如超过GB3095与TJ36规定的居住区容许浓度限值，则无组织排放源所在的生产单元（生产区、车间或工段）与居住区之间应设置卫生防护距离。本评价根据建设工程无组织污染物的排放量计算卫生防护距离。表21卫生防护距离计算参数污染物标准浓度限值(mg/m3)无组织排放量(kg/h)生产单元占地面积(m2)平均风速(m/s)是否有排气筒卫生防护距离（m）氨气0.2（一次值）0.000041201.8无0.3364HCL0.2（最大一次）0.00000220000.0299硝酸雾0.25（1小时）0.0000130.1898硫酸雾0.3（最大一次）0.0000920.0938氟化物0.02（1小时）0.0000953.3663乙酸（醋酸）0.2（最大一次）0.0000170.3563异丙醇0.6（最大一次）0.000010.0441非甲烷总烃2.00.000020.0229氨气0.2（最大一次）0.0000030.0386根据卫生防护距离公式计算出卫生防护距离结果如上表所示。根据《制定地方大气污染物排放标准的技术方法》（GB/T3840-1991）中的规定，卫生防护距离在100m以内时，极差为50m，超过100m，但小于或等于1000m时，极差为100m，超过1000m以上，极差为200m，当有两种以上的有害气体计算的卫生防护距离在同一级别时，该类工业企业的卫生防护距离级别应提高一级。经核算本项目卫生防护距离为50米，经现场调查，卫生防护距离内无居民等环境敏感目标。在此基础上，本环评认为项目产生的无组织废气对大气环境影响较小。二、水环境影响分析1、废水防治措施及排放情况生活污水、酸洗废水、碱洗废水、有机溶剂清洗废水、含镍废水、去离子水清洗废水、切割废水、地面保洁废水、纯水制备浓水等，废水水质情况见表22；-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表表22建设项目废水产生量及水质一览表序号类型废水量pHCODBOD5SSNH3-NF-LAS镍1单位t/d/mg/L2酸碱性废水0.25-68006508080225--3切割冷却废水56-9100801000----4有机溶剂废水0.066-91500120025015-1505蚀刻废水1.06-945016065015---6含镍废水0.56-945016065015--107废气洗涤塔废水0.755-665040030015002500--8厂区保洁废水0.36-945030020030---9清洗废水156-960052050015122.6010综合废水=（1+2+3+4+5+7+8+9）6-7476.19393.33364.1128.4233.491.63011产生量（t/a）6693/3.192.642.440.190.2240.110生活污水直接排入市政污水管网，其他废水经厂区污水管网经安芯电子污水站处理达到城东污水处理厂接管要求后入城东污水处理厂处理，最终排入长江。2、废水防治措施及排放情况①废水治理措施本项目生产综合废水排放量为22.31m3/d，生产废水经厂区污水管网进入安芯污水站进行处理，达到城东污水处理厂接管要求后入城东污水处理厂处理，最终排入长江。生产废水中含镍废水采用独立管路收集贮存，定期送往有处理资质单位进行处理，不排放。②废水委托安芯电子污水站可行性分析氢氧化钠PAC、PAM氯化钙氢氧化钠斜板沉淀池开发区污水管网混凝沉淀池中和池调节池来水-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表图3安芯电子污水水站工艺流程图单位t/d污水站工艺说明：废水在调节池中调整水质水量后，提升至中和沉淀池进行PH调整，中和系统废水中大部分酸性物质，将废水PH调整至偏碱性范围。通过污水提升泵提升至混凝混合池，在提升过程中PH精调节剂通过管道混合器与废水进行充分混合，在混凝混合池与混凝沉淀剂混合后斜板沉淀器进行沉淀处理。经斜板沉淀池后，上清液进入中间水池，经PH调整后通过泵送至过滤器经过滤器去除悬浮态氟化物。经处理后废水达标排入市政污水管网。污水站处理能力为150t/d，目前安芯电子产生污水量为120t/d，而本项目产生污水量为22.31t/d，项目废水委托安芯电子污水站处理后实际处理水量为143.31t/d，满足污水站处理负荷。综上所述，项目产生的废水委托安芯电子污水处理站处理，工艺和处理能力均能满足需要，故本评价认为本项目该种废水处理方式可行。3、水污染物排放情况根据建设项目的特点，其排放的废水主要是生产废水、办公生活废水等。按有关资料介绍和同行业类比调查可知，废水中主要污染指标为pH、CODCr、SS、NH3-N、LAS、F-等，废水污染物产生情况见下表：表23建设项目废水污染物产生排放情况一览表类型废水量pHCODBOD5SSNH3-NF-LAS综合废水/6-7476.19393.33364.1128.4233.491.63产生量（t/a）6693/3.332.752.550.20.2340.13安芯污水站排放浓度（mg/L）/6-928010012018151.5排放量（t/a）6693/1.850.630.780.1210.1000.010城东污水处理厂接管标准—6-9500300400-2020GB8978-1996三级标准—6-9500300400-2020城东污水处理厂出水标准—6-96020208（15）101进入环境排放量66936-90.4020.1340.1340.05360.0670.00544、废水达标排放分析园区内企业的污水进入城东污水处理厂进行处理。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表根据《污水综合排放标准》（GB8978-1996）中的要求，排入设置城镇二级污水处理厂的废水执行三级排放标准，且根据城东污水处理厂废水接管要求，本项目废水需达到城东污水处理厂的接管标准。本项目产生的生产废水经厂区污水管网排入安芯电子污水站处理后达城东污水处理厂接管标准后排入污水管网，由市政污水管网输送至城东污水处理厂，处理达到《城镇污水处理厂污染物排放标准》（GB18918-2002）一级标准中B类标准，然后排入长江。城东污水处理厂已投入使用，本项目在城东污水处理厂服务范围内。5、废水对水环境影响分析项目生产废水和生活污水经安芯电子污水处理站处理后，建设项目所排废水中主要污染物pH、CODCr、BOD5、SS等均可达到城东污水处理厂接管要求，进该污水处理厂处理；项目区废水中主要污染物进入环境的排放量CODCr：0.402t/a、BOD5：0.134t/a、SS：0.134t/a、NH3-N：0.0536t/a、F-：0.067t/a、LAS：0.0054t/a，废水经城东污水处理厂处理后达到《城镇污水处理厂污染物排放标准》（GB18918-2002）一级标准中B类标准，然后排入长江，不会降低项目区现有水环境功能。三、声环境的影响分析本项目在生产运营过程中，噪声主要来自扩散炉、烧结炉、清洗机、吹砂机、研磨机、切割机、空压机、烘箱、甩干机、喷砂机等设备噪声，声级可达70dB(A)～90dB(A)，经过机械设备减震及厂界围墙隔离，同时经过距离衰减后，降噪效果可达15～20dB(A)，设备噪声源强分析见下表：表24主要产噪设备噪声源强分析序号设备名称数量（台）声级值dB(A)治理措施降噪效果dB(A)1扩散炉3470减振垫消声器墙体隔音152烧结炉1275203清洗机1470204吹砂机280205研磨机280206切割机990157空压机190208烘箱3270159甩干机12702010喷砂机175201、预测模式：-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表选用《环境影响评价技术导则-声环境》（HJ2.4-2009）推荐的模式，其数学表达式如下：单个噪声源预测公式：两个以上的多个噪声源同时存在时，总声级计算公式：式中：r—预测点到声源的距离，m；Adiv—距离衰减，dB；Abar—遮档物衰减，dB；Aatm—空气吸收衰减，dB；Aexc—附加衰减，dB。距离衰减Adiv、遮档物衰减Abar、空气吸收衰减Aatm、附加衰减Aexc均按《环境影响评价技术导则-声环境》（HJ2.4-2009）推荐的公式计算。2、噪声影响预测与评价本项目夜间不生产。故仅需预测昼间厂界四周噪声值，利用主要噪声设备声源源强以及减噪、隔声防治措施等资料，通过模式计算，建设项目昼间厂界均能满足《声环境质量标准》（GB3096-2008）中2类标准的要求。利用模式模拟预测项目运营时主要噪声源同时产生噪声对项目区厂界声环境质量影响情况，预测结果详见下表。表25项目厂界声环境质量影响预测结果单位：dB(A)序号噪声源名称数量(台)距离厂界距离（m）降噪后源强东厂界南厂界西厂界北厂界1扩散炉34N：45；S:45W：20；E：305535.1440.5456.4844.582烧结炉12N：15；S:75W：20；E：305534.8952.8946.3837.393清洗机14N：40；S:50W：25；E：255045.1450.0955.5155.354吹砂机2N：60；S:30W：10；E：406033.7149.8934.8332.395研磨机2N：40；S:50W：40；E：106034.8952.8946.3837.39-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表6切割机9N：65；S:25W：10；E：406535.3952.8944.7337.397空压机1N：40；S:50W：26；E：246549.1760.9248.5647.278烘箱32N：10；S:80W：35；E：155534.8952.8946.3837.399甩干机12N：10；S:80W：30；E：205024.8930.0943.9835.3510喷砂机1N：；S:W：；E：5524.8930.0943.9835.35预测总影响值//55.253.156.253.0执行标准//60606060达标性分析//达标达标达标达标对照评价标准，对项目建成后预测数据分析评价表明：项目正常生产运营中排放的机械噪声对各厂界测点周围声环境影响不明显，厂界噪声贡献值可以满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)2类标准。综上所述，本项目生产噪声不会对厂界噪声环境和敏感点造成明显的影响，环境噪声现状不会发生明显的变化。四、固体废弃物的影响分析本项目营运期产生的固体废弃物主要为危险废物和一般固废：①一般固废：职工产生的生活垃圾。本项目劳动定员为360人，按0.5kg/人·日计，则生活垃圾产生量为54t/a；废金刚砂及袋式收尘器收集的金刚砂粉尘；废包装材料、废塑料等。②危险废物：废溶剂、废显影液、化学品包装废物、水处理污泥、有机废气处理废活性炭。危险废物在场内设置危废暂存处，收集后送有资质的单位处理。表26拟建项目固体废物产生及处置情况序号名称分类编号产生量（t/a）处理方式排放量（t/a）1废显影液HW161.28用塑料桶存放于厂内危废暂存处后送原厂家回收02废铂金渣等--0.013废有机溶剂HW061.16用塑料桶存放于厂内危废暂存处（2层东北角），收集后送有资质单位安全处理04化学品包装废弃物HW491.005洁净厂房废滤芯--1.006有机废气处理废活性炭HW065.007废金刚砂及砂粉--1.3由市政环卫部门定0-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表期清运、卫生填埋8废纸板等--2.009生活垃圾997.50项目危险固废有废显影液、废有机溶剂、化学品包装废弃物、有机废气处理废活性炭等，其中废显影液用塑料桶暂存于危废暂存处后送原厂家回收，其他危险废物经塑料桶暂存与厂内危废暂存处后送有资质的单位安全处理。（1）危险废物收集污染防治措施分析危险废物在收集时，应清楚废物的类别及主要成份，以方便委托处理单位处理，根据危险废物的性质和形态，可采用不同大小和不同材质的容器进行包装，所有包装容器应足够安全，并经过周密检查，严防在装载、搬移或运输途中出现渗漏、溢出、抛洒或挥发等情况。本项目主要采用塑料桶进行包装暂存，并在包装的明显位置附上危险废物标签。（2）危险废物暂存污染防治措施分析建设单位拟于车间西北角建设一个危废暂存间，建筑面积为20平方米。并按相关要求做到：①贮存场所应符合GB18597-2001规定的贮存控制标准，有符合要求的专用标志。②贮存区内禁止混放不相容危险废物。③贮存区考虑相应的集排水和防渗设施。④贮存区符合消防要求。⑤贮存容器必须有明显标志，具有耐腐蚀、耐压、密封和不与所贮存的废物发生发应等特性。（3）危险废物运输污染防治措施分析危险废物运输中应做到以下几点：①危险废物的运输车辆须经主管单位检查，并持有有关单位签发的许可证，负责运输的司机应通过培训，持有证明文件。②承载危险废物的车辆须有明显的标志或适当的危险符号，以引起注意。③载有危险废物的车辆在公路上行驶时，需持有运输许可证，其上应注明废物来源、性质和运往地点。④组织危险废物的运输单位，在事先需做出周密的运输计划和行驶路线，其中包括有效的废物泄露情况下的应急措施。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表综上，采取上述措施后，固体废物均得到有效处置，不会对周围环境产生不良影响。五、风险分析环境风险是指某建设项目的新建、运营所引发的或面临的灾害对人体健康、经济发展、生态系统等所造成的风险。环境风险是本项目的一个主要环境问题，目前国内企业生产过程中的事故时有发生，事故产生的后果均较为严重。本项目在生产过程中一旦发生火灾，对周边企业会带来严重的影响和重大的环境污染。本项目使用的酸、碱具有腐蚀性。针对项目使用量较大的几种物质进行风险分析。（1）毒性、理化性质分析【理化性质】盐酸：无色或微黄色易挥发性液体，有刺激性气味。熔点(℃)：-114.8(纯HCl)；沸点(℃)：108.6(20%恒沸溶液)，相对密度(水=1)：1.20；相对蒸气密度(空气=1)：1.26；饱和蒸气压(kPa)：30.66(21℃)；溶解性：与水混溶，溶于碱液。氢氟酸：无色无味的液体。40%的水溶液沸点120℃；熔点-83.1℃(纯)；与水任意比混溶；密度：相对密度(水=1)1.26(75%)；相对密度(空气=1)1.27；稳定性：稳定。硝酸：无色透明液体。熔点-42℃。沸点83℃。密度1.5027g／cm3(250℃)。能与水以任何比例混合，具有刺激性和强烈的窒息性和腐蚀性。硝酸水溶液具有导电性，会灼伤皮肤。化学性质活泼，常温下能分解出二氧化氮。可与许多金属剧烈反应，是一种无机强酸和强氧化剂。【健康危害】盐酸的毒性：接触其蒸气或烟雾，可引起急性中毒，出现眼结膜炎，鼻及口腔粘膜有烧灼感，鼻衄、齿龈出血，气管炎等。误服可引起消化道灼伤、溃疡形成，有可能引起胃穿孔、腹膜炎等。眼和皮肤接触可致灼伤。慢性影响：长期接触，引起慢性鼻炎、慢性支气管炎、牙齿酸蚀症及皮肤损害。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表氢氟酸的毒性：对呼吸道粘膜及皮肤有强烈的刺激和腐蚀作用。急性中毒：吸入较高浓度氟化氢，可引起眼及呼吸道粘膜刺激症状，严重者可发生支气管炎、肺炎或肺水肿，甚至发生反射性窒息。眼接触局部剧烈疼痛，重者角膜损伤，甚至发生穿孔。氢氟酸皮肤灼伤初期皮肤潮红、干燥。创面苍白，坏死，继而呈紫黑色或灰黑色。深部灼伤或处理不当时，可形成难以愈合的深溃疡，损及骨膜和骨质。本品灼伤疼痛剧烈。慢性影响：眼和上呼吸道刺激症状，或有鼻衄，嗅觉减退。可有牙齿酸蚀症。骨骼X线异常与工业性氟病少见。硝酸的毒性：其蒸气有刺激作用，引起眼和上呼吸道刺激症状，如流泪、咽喉刺激感、呛咳，并伴有头痛、头晕、胸闷等。口服引起腹部剧痛，严重者可有胃穿孔、腹膜炎、喉痉挛、肾损害、休克以及窒息。皮肤接触引起灼伤。慢性影响：长期接触可引起牙齿酸蚀症。【急救措施】盐酸：皮肤接触后立即脱去污染的衣着，用大量流动清水冲洗至少15分钟，就医；眼睛接触后立即提起眼睑，用大量流动清水或生理盐水彻底冲洗至少15分钟，就医；吸入后迅速脱离现场至空气新鲜处，保持呼吸道通畅；如呼吸困难，给输氧；如呼吸停止，立即进行人工呼吸，就医；食入：用水漱口，给饮牛奶或蛋清，就医。氢氟酸：皮肤接触后立即用大量流水长时间彻底清洗，尽快的稀释和冲去氢氟酸。氢氟酸灼伤后可使用一些可溶性钙、镁盐类制剂使其与氟离子结合形成不溶性氟化钙或氟化镁，从而使氟离子失去活性。氢氟酸溅入眼内，立即分开睑，用大量清水连续冲洗15分钟，滴入1～2滴局部麻醉眼药，可减轻疼痛。并立即送眼科诊治。硝酸：皮肤接触后立即脱去污染的衣着，用大量流动清水冲洗至少15分钟。就医。硝酸溅入眼内，立即提起眼睑，用大量流动清水或生理盐水彻底冲洗至少15分钟。就医。【泄漏处理】盐酸：迅速撤离泄漏污染区人员至安全区，并进行隔离，严格限制出入。建议应急处理人员戴自给正压式呼吸器，穿防酸碱工作服。不要直接接触泄漏物。尽可能切断泄漏源。小量泄漏：用砂土、干燥石灰或苏打灰混合。也可以用大量水冲洗，洗水稀释后放入废水系统。大量泄漏：构筑围堤或挖坑收容。用泵转移至槽车或专用收集器内，回收或运至废物处理场所处置。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表氢氟酸：迅速撤离泄漏污染区人员至安全区，并立即隔离150m，严格限制出入。建议应急处理人员戴自给正压式呼吸器，穿防酸碱工作服。尽可能切断泄漏源。防止流入下水道、排洪沟等限制性空间。若是气体，合理通风，加速扩散。喷氨水或其它稀碱液中和。构筑围堤或挖坑收容产生的大量废水。也可以将残余气或漏出气用排风机送至水洗塔或与塔相连的通风橱内。漏气容器要妥善处理，修复、检验后再用。若是液体，用砂土或其它不燃材料吸附或吸收。也可以用大量水冲洗，洗水稀释后放入废水系统。若大量泄漏，构筑围堤或挖坑收容。用泵转移至槽车或专用收集器内，回收或运至废物处理场所处置。硝酸：迅速撤离泄漏污染区人员至安全区，并进行隔离，严格限制出入。建议应急处理人员戴自给正压式呼吸器，穿防酸碱工作服。从上风处进入现场。尽可能切断泄漏源。防止流入下水道、排洪沟等限制性空间。小量泄漏：将地面洒上苏打灰，然后用大量水冲洗，洗水稀释后放入废水系统。大量泄漏：构筑围堤或挖坑收容。喷雾状水冷却和稀释蒸汽、保护现场人员、把泄漏物稀释成不燃物。用泵转移至槽车或专用收集器内，回收或运至废物处理场所处置。（2）事故源分析根据盐酸、氟化氢、硝酸及氢氧化钾的理化性质，氟化氢具有强烈的腐蚀性和毒性、硝酸具有强氧化性和毒性、盐酸及氢氧化钾具有腐蚀性。本项目的事故源可能存在于仓库盐酸、氢氟酸、硝酸桶的破损泄露及生产过程中无组织氟化氢、氮氧化物气体的排放。操作人员应戴防护眼镜、口罩，防止中毒及腐蚀皮肤。（3）储存风险防范措施与要求防护措施①容器灌装液体时，应留有足够的膨胀余量（预留容积应不小于总容积的10%），以防止受热膨胀而发生燃烧或爆炸；危险货物的标志应贴在包装件的明显部位；装卸时应轻拿轻放，防止撞击；装卸过程中，车辆的发动机必须熄火并关闭总电源；运输车辆必须备有消防器材和相应的安全措施。②储存罐区应为一、二级耐火建筑，要求通风良好，周围严禁烟火，远离火种、热源，夏季应有隔热降温措施，在气温大于30℃时应采取洒水降温等措施。③呼吸系统防护：一般不需要特殊防护，高浓度接触时可佩戴自吸过滤式防毒面具(半面罩)。眼睛防护：空气中浓度超标时，戴安全防护眼镜。身体防护：穿防静电工作服。手防护：戴防苯耐油手套。其它：工作现场严禁吸烟。避免长期反复接触。应急措施①消防方法：如发生火灾，为了扑灭燃烧起来的溶剂可应用泡沫灭火器、粉末灭火器、CO2灭火器或者砂子等，对局部的溶剂燃烧可采用饱和蒸汽进行灭火。②急救-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表皮肤接触：脱去被污染的衣着，用肥皂水和清水彻底冲洗皮肤。眼睛接触：提起眼睑，用流动清水或生理盐水冲洗。就医。吸入：迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难，给输氧。如呼吸停止，立即进行人工呼吸；就医。食入：饮足量温水，催吐，就医。(4)危险化学品储运安全防范措施拟建项目的危险化学品主要为氟化氢具有强烈的腐蚀性和毒性、硝酸具有强氧化性和毒性、盐酸及氢氧化钾具有腐蚀性，项目应严格按《危险化学品安全管理条例》的要求，加强对危险化学品的管理；制定危险化学品安全操作规程，要求操作人员严格按操作规程作业；对从事危险化学作业人员定期进行安全培训教育；经常性对危险化学品作业场所进行安全检查。拟建项目原料储存需符合储存危险化学品的相关条件（如防晒、防潮、通风、防雷、防静电等），实施危险化学品的储存和使用。建立健全安全规程及值勤制度，设置通讯、报警装置，确保其处于完好状态；对储存危险化学品的容器，应经有关检验部门定期检验合格后，才能使用，并设置明显的标识及警示牌；对使用危险化学品的名称、数量进行严格登记；凡储存、使用危险化学品的岗位，都应配置合格的防毒器材、消防器材，并确保其处于完好状态；所有进入储存、使用危险化学品的人员，都必须严格遵守《危险化学品管理制度》。对储存危险化学品的容器，应经有关检验部门定期检验合格后，才能使用，并设置明显的标识及警示牌；对使用危险化学品的名称、数量进行严格登记；凡储存、使用危险化学品的岗位，都应配置合格的防毒器材、消防器材，并确保其处于完好状态；所有进入储存、使用危险化学品的人员，都必须严格遵守《危险化学品管理制度》。采购危险化学品时，应到已获得危险化学品经营许可证的企业进行采购，并要求供应商提供技术说明书及相关技术资料；采购人员必须进行专业培训并取证；危险化学品的包装物、容器必须有专业检测机构检验合格才能使用；从事危险化学品运输、押运人员，应经有关培训并取证后才能从事危险化学品运输、押运工作；运输危险化学品的车、船应悬挂危险化学品标志不得在人口稠密地停留；危险化学品的运输、押运人员，应配置合格的防护器材。(5)应急预案要求本评价要求-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表企业制定有完善的事故应急预案，内容包括：应急计划区；应急组织机构及人员；报警、汇报、上报机制；应急救援保障设施及监测、抢险、救援、控制措施；检测、防护、清除措施和器材；人员紧急撤离疏散组织计划；基本上能把事故对人员、设备、环境造成的影响控制在尽可能小的范围。六、环保投资本项目环保投资为81.5万元，占总投资（3200万元）的2.55%，主要用于废水、废气、固废、噪声治理等，详见下表。表27环保投资估算一览表名称环保设施名称环保投资（万元）效果备注废水化粪池5达标排放与建设项目同时设计、同时施工、同时投入运行含镍废水暂存装置、污水管道15达标废气静电式油烟净化装置+排风管道5达标排放集气罩、风机、废气洗涤塔、活性炭纤维吸附系统、排风管道、2根排气筒45噪声设备减震基座7.5达标固废垃圾桶、危废暂存处（20平方米）3.5合理处置合计81.5/-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表建设项目拟采取的防治措施及预期治理效果-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表内容类型排放源（编号）污染物名称防治措施预期治理效果大气污染物酸、碱废气氯化氢、硝酸雾、硫酸雾、氟化物、乙酸、氨气废气吸收塔处理达标排放VOC异丙醇、非甲烷总烃活性炭纤维吸附系统达标排放食堂油烟废气油烟净化器达标排放水污染物生产废水、办公生活COD、BOD5NH3-N、SS、LAS安芯电子污水站处理后接管入城东污水厂处理达标排放含镍废水镍处收集后送有资质单位处理不排放固体废弃物危险废物废溶剂、废显影液、废滤芯、化学品包装废物、废活性炭、废铂金渣废显影液、废铂金渣厂内危废暂存处收集后送原销售厂家回收，其他危废厂内危废暂存处收集后送有资质单位处理实现固体废弃物的无害化和资源化，对外环境不产生影响一般固废废金刚砂、废纸板集中收集，由环卫部门统一外运卫生填埋办公生活生活垃圾噪声项目在生产运营过程中，主要为设备运转噪声，经设备减震、厂房隔声后，厂界噪声完全达到GB12348-2008《工业企业厂界环境噪声排放标准》中的2类标准要求。其他/生态保护措施及预期效果：建设项目设计阶段进行合理设计，优化建设，加强施工管理，建设的同时同步建设相关的绿化带，一方面可减轻地面浮尘对周围大气污染，设备噪声对周围声环境的污染，另一方面可减轻项目建设对生态环境的破坏程度。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表结论与建议一、结论1、项目概况安徽芯旭半导体有限公司年产90万片半导体芯片项目，项目总投资3200万元，在、、市经济技术开发区租赁标准化厂房2000平方米及办公用房，建成1条高级GPP芯片生产线，年产半导体高级GPP芯片90万片。建成达产后可实现年销售收入6000万元，年利税600万元。项目经、、经济开发区经贸发展局（池开管经[2015]21号文）批准立项，立项批复文件见附件。2、产业政策相符性该项目采用的均是先进的生产工艺和设备，项目属于中华人民共和国国家发展和改革委员会发布的《产业结构调整指导目录》((2013年修订))中第一类鼓励类第十四条机械中第42项“半导体照明衬底、外延、芯片、封装及材料等”，因此本项目符合国家产业政策。3、选址合理性该项目选址位于、、市经济技术开发区金光大道88号，地理位置优越，配套设施完善，建设项目厂址地质条件良好，周围水、气、声环境质量现状良好，水电供应有保障，没有大的污染源存在。根据、、市主城区空间发展规划，本项目所在地为二类工业用地，符合、、市总体规划要求。4、达标排放及环境影响⑴废水本项目建成运营后，废水主要来自生产、生活。项目产生的废水主要为职工生活污水，生产废水主要为酸洗废水、碱洗废水、切割废水等废水产生量约6693t/a（22.31t/d）。经厂内污水管进入安芯电子污水站预处理达园区污水厂接管要求后排入市政污水管网，经城东污水处理厂进一步处理达《城镇污水处理厂污染物排放标准》（GB18918-2002）表1中一级B标准后排入长江。对地表水体长江的影响均较小。⑵废气项目生产废气主要有工艺有组织及无组织废气，食堂油烟等，-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表工艺有组织废气主要为异丙醇、非甲烷总烃、氯化氢、硝酸雾、硫酸雾、氟化物、乙酸、氨气，废气经集气罩收集后经排气筒排放，有组织废气排放达到《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）规定的二级排放标准及GB14554-1993相关标准要求及《天津市工业企业挥发性有机物排放控制标准》（DB12/524-2014）表2中“电子工业半导体制造”标准要求，可以达标排放，未被收集的废气在车间无组织排放，经计算，本项目需要设置50m卫生防护距离，经现场调查，卫生防护距离内无居民等环境敏感目标。生活废气主要来自食堂油烟。油烟经抽油烟机抽排后，其浓度可以满足《饮食业油烟排放标准》（GB18483-2001）中型标准要求2.0mg/m3。综上所述，本项目产生的废气对周边环境影响较小。建设单位切实落实上述处理措施，本项目产生的废气排放不会对周边环境产生明显影响。⑶噪声本项目主要高噪声设备及噪声值为主要来源于设备运转噪声，声源强度在75~90dB（A）之间。经隔声降噪和距离衰减后，厂界昼间可满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)中的2类标准值（昼间60dB(A)），项目夜间不生产。因此，项目噪声对周边声环境影响较小。⑷固废本项目产生的固体废物主要包括生产性固体废物和生活垃圾。生活垃圾、污泥、一般固废经环卫部门定期清理，废显影液、废镍快及废铂金渣收集后送原销售厂家回收，其他危险废物在场内暂存后送有资质的单位处理。综上所述，本项目产生的各类固废均得到了有效的处理及处置，不会产生二次污染，对周围环境不会造成不良影响。5、环境质量现状及环境相容性项目所在地区大气、地表水、声环境现状良好，能满足功能区划要求。本项目各项污染物经治理后对环境造成的影响较小，不会造成区域环境功能的改变。从对环境质量影响分析，该项目可行。6、总量控制结论建设项目生产废水接管进城东污水处理厂，经处理后最终排入长江，总量纳入城东污水处理厂总量范围。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表7、环保“三同时”验收计划根据《中华人民共和国环境保护法》规定，建设项目污染防治设施必须与主体工程同时设计、同时施工、同时投入运行，而污染防治设施建设“三同时”验收是严格控制污染源和污染物排放总量、遏制环境恶化趋势的有力措施。本项目应在试生产阶段申请环保部门进行“三同时”验收，具体实施计划为：①建设单位向当地环保主管部门申请试生产。②建设单位请环境监测部门对正常工况下各排污口排放污染物浓度进行监测。③建设单位向当地环保主管部门申请“三同时”验收，“三同时”清单如下表。表28建设项目三同时验收一览表名称环保设施名称建设时间验收效果废水含镍废水收集后送往有资质单位处理，其他废水经污水管道送往安芯电子污水处理站处理与主体工程同时设计、同时建设、同时投入使用废水排放满足城东污水处理厂污水接管要求废气集气罩、风机、废气洗涤塔、活性炭纤维吸附系统、排风管道、2根排气筒达到《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）规定的排放标准；《天津市工业企业挥发性有机物排放控制标准》（DB12/524-2014）表2中“电子工业半导体制造”标准油烟净化器+排风管道满足《饮食业油烟排放标准》（GB18483－2001）中中型规模要求固废垃圾桶、固废堆场、危废暂存处（20平方米，并设置醒目的危废标志标牌）暂存固废，固体废物零排放噪声设备减震、厂房隔声满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)中的2类标准值总结论：综上所述，拟建项目符合国家及地方产业政策，选址符合当地用地规划，选址合理。各项污染物经治理后可以达标排放，对环境的影响可接受，不会造成区域环境功能的改变。从环境保护的角度来讲，本评价认为该项目采取认真落实本报告提出的环保措施后，其建设是可行的。二、建议与要求1、严格执行本环评要求，及时并且认真落实环保设施的建设。2、生产过程中加强运行管理，严格执行操作规程，确保安全生产。3、项目实施过程中特别要做好厂区“三废”-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表的污染治理及排放工作，达到经济效益、社会效益、环境效益的统一。4、切实强化企业的环境意识，加强生产管理，并切实做好处置工作。5、严格落实环保工程“三同时”，在项目施工和运营时同时落实各项环保治理措施。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表预审意见：公章经办人：年月日下一级环境保护行政主管部门审查意见：公章经办人：年月日-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表审批意见：公章经办人：年月日-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表注释一、本报告表应附以下附件、附图：附件1立项批准文件附件2其他与环评有关的行政管理文件附图1项目地理位置图（应反映行政区划、水系、标明纳污口位置和地形地貌等）附图2项目平面布置图二、如果本报告表不能说明项目产生的污染及对环境造成的影响，应进行专项评价。根据建设项目的特点和当地环境特征，应选下列1~2项进行专项评价。1.大气环境影响专项评价2.水环境影响专项评价（包括地表水和地下水）3.生态影响专项评价4.声环境影响专项评价5.土壤影响专项评价6.固体废物影响专项评价以上专项评价未包括的可另列专项，专项评价按照《环境影响评价技术导则》中的要求进行。-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表委托书巢湖中环环境科学研究有限公司：根据国家《建设项目环境保护管理条例》和《中华人民共和国环境影响评价法》等文件的有关规定，现委托贵单位对我公司年产90万片半导体芯片项目进行环境影响评价，编制环境影响报告表。特此委托！安徽芯旭半导体有限公司二〇一五年八月-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表附图1建设项目地理位置图-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目 环境影响报告表N金光大道项目区附图3项目周边环境示意图-2-2015年9月年产90万片半导体芯片项目'