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'SHANGHAIUNIVERSITY模拟数字电子技术A课程项目报告COURSE REPORT课程名称:模拟电子技术A课程号:授课教师: 学号:-------姓名:西木小卒 所属:电气工程及其自动化
模拟数字电子技术A课程项目报告项目名称:1.运算放大器的仿真分析与传输特性测绘2.二极管、稳压管的仿真模型与正反向特性测绘1.运算放大器的仿真与传输特性测绘1.1理想运放的电路模型1.1.a开环电压增益AVo≥105输入电阻ri≥106Ω输出电阻ro≤100Ω受控输出电压源Vo=AVo(Vp-Vn)1.2理想运放的电压传输特性运放的理论电压传输特性曲线如图1.2.a,当差模输入电压Vp-Vn=0时,Vo=0,集成运放工作与传输特性的原点(零输入,零输出)。当差模输入信号(Vp-Vn)增加,输出电压Vo随输入电压(Vp-Vn)增加而线性增加,其斜率即为运算放大器的开环差模电压增益AVo[=Vo/(Vp-Vn)]。由于AVo很大,当(Vp-Vn)增加(或者减少)到一定程度,由于电源电压的限制,输出电压将达到正的最大值+Vom或负的最大值-Vom,即运放工作进入传输特性的正向或负向饱和区。因此,运放工作在线性区时,必须满足-Vom<AVo(Vp-Vn)<+Vom。
1.2.a1.3运算放大器的仿真与分析1.3.1仿真电路及测试波形仿真电路见图1.3.1.a;输入信号参数见图1.3.1.b;放大器参数设置见图1.3.1.c;电路工作波形见图1.3.1.d;示波器工作波形见图1.3.1.e。1.3.1.a仿真电路图1.3.1.c运算放大器参数1.3.1.b输入信号参数
1.3.1.d运算放大器的电压传输特性曲线1.3.1.e仿真工作波形测量1.3.2仿真分析本次仿真中使用Mutisim14中的直流扫描分析功能对运算放大器进行分析,Vi=Vp-Vn,Vn接地,Vp接理想直流电压源作为输入信号,输入信号参数见图1.3.1.b,扫描参数Vi(图中为底轴参数vv1)变化范围为-0.01V到+0.01V,增量为10-5V。仿真前根据理想运放模型特点对运算放大器参数进行设置,使其接近理想运放的要求,具体参数见图1.3.1.c。
根据图1.3.1.d不难看出运算放大器工作时符合图1.2.a理想运放的电压传输特性,在输入电压Vi在-10mV到+10mV之间变化时,输出电压Vo在一定范围内随Vi呈线性变化;测量可知满足Vo=AVoVi,在超出一定范围后Vo进入饱和区不再变化;可以测量在Vi完成-10mV到+10mV变化的过程中Vo存在饱和电压+Vom≈12V,-Vom≈-12V,在Vi≈+120μV,Vi≈-120μV时,Vo分别取到正、负饱和电压。在示波器单次测量中,工作波形见图1.3.1.e,Vi取100μV时运放工作在线性区,此时相应的输出电压Vo为10V,可知运放的增益AVo=Vi/Vo=100k,与仿真运放器件的预设值吻合良好。2.二极管、稳压管的仿真模型与正反向特性测绘2.1二极管与稳压管特性正向特性:电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式为正向偏置。当加在二极管的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”或者“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.4V)以后,二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。反向特性:电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管击穿。稳压管也是一种晶体二极管,它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。根据其特性曲线(见图2.1.b),稳压管反向击穿后,电流虽然在很大范围内变化,但稳压管两端的电压变化很小。利用这一特性,稳压管在电路中能起稳压作用。下图为普通二极管与稳压二极管的符号及各自的特性曲线:2.1.a普通二极管符号及其特性曲线
2.1.b稳压管符号及其特性曲线2.2二极管仿真模型与正反向特性测绘2.2.1仿真电路及测试波形2.2.1.a二极管仿真电路2.2.1.b二极管仿真参数2.2.1.c二极管仿真I-V特性曲线
2.2.1.c.1反向特性区示意图(图2.2.1.c的圆圈1部分)2.2.1.c.2正向特性区示意图(图2.2.1.c的圆圈2部分)2.2.2仿真分析选用型号为1BH62的普通二极管,使用Mutisim14软件的I/V分析仪(伏安特性分析仪)对二极管进行正反向特性分析,正反向测试电压如图2.2.1.b所示,反向电压最大值为-200V,正向电压最大值为50V,增量为1V。仿真测绘的二极管伏安特性曲线见图2.2.1.c,与图2.1.a特征吻合较好,可以测量在正向电压大于约0.4V后,通过二极管的电流才开始增大,此后处于正向导通状态(见图2.2.1.c.2);在反向电压大于-120V后通过二极管的电流才急剧增大,处于击穿状态(见图2.2.1.c.1);在二极管两端电压处在-120V到0.4V之间时,通过二极管的电流非常微弱但不为0,此时二极管处于截止状态。二极管仿真测试证明了二极管的正向、反向特性,说明二极管具有单向导电性,存在死区电压、漏电流等特性。2.3稳压管仿真模型与正反向特性测绘2.3.1仿真电路与测试波形
2.3.1.a稳压管仿真电路2.3.1.b电路网表报告2.3.1.c.1电路工作波形
2.3.1.c.2电路工作波形(图2.3.1.c.1的圆圈部分)2.3.2仿真分析本次仿真使用Mutisim14的直流扫描分析功能(DCSweepAnalysis),通过改变网络的输入电压来改变稳压二极管两端的电压,理想电压源V1提供输入电压信号,并实现直流扫描功能,电阻R1、R2起到分配电压的作用。稳压管D1与R2同属于网络1,V(1)可表示稳压管两端的电压,当V(1)参数变化时,由于R2的分压作用,实现D1两端的电压的扫描变化(网络端口分配见图2.3.1.b)。电路的工作波形中(见图2.3.1.c.1与2.3.1.c.2),流经D1的电流为ID=I(R1)-I(R2),D1两端的电压为V(1),扫描电压VV1为电源电压。在V(1)为负电位时,D1正接,此时D1相当于普通二极管,可以测量其导通压降约为0.7V,此时电流与其两端电压几乎成正比;当VV1继续变化使V(1)为正电位时,此时D1反接并经历截止状态,ID几乎为0,当反向偏置电压达到5V左右时D1击穿,D1击穿后电压稳定不变,而电流仍会随着VV1变化而变化,此时D1实现稳压功能。仿真说明了在稳压管击穿后,稳压管两端的电压将保持稳定,实现稳压功能;为了让稳压二极管正常工作,须将其反接保证其工作在击穿状态。'
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