上海华虹NEC电子有限公司扩建厂房土方开挖施工方案

'上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目基坑土方开挖施工方案上海浦东城市建设实业发展有限公司 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】目录1.工程总体概述11.1工程概述11.2工程概况11.3本方案编制依据22.工程特点和地质状况22.1工程特点22.2地质状况23.施工部署33.1施工思路33.2施工段划分错误！未定义书签。3.3施工组织44.施工进度计划55.主要施工方案...............错误！未定义书签。5.1工程测量55.1.1布网原则45.1.2施工控制网的测设45.1.3高程控制........55.1.4测量质量保证措施65.2土方开挖75.2.1开挖原则75.2.2机械选型和数量7 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】5.2.3机械施工效率计算书85.2.4土方开挖施工错误！未定义书签。5.2.5土方开挖过程中应注意的问题115.2.6土方开挖期间排水125.3基坑降水...............................................12　5.3.1降水方案12　5.3.2降水施工12　5.3.3降水运行措施126.主要机械设备计划、劳动力计划166.1主要机械设备计划166.2劳动力计划177.质量保证措施178.进度保证措施189.安全生产措施1810.文明施工措施1911.雨季施工措施2012.相关工序间的协作2012.1降水工程2112.2加强基坑围护结构监测数据的反馈22 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】基坑土方开挖施工方案1.工程总体概述1.1工程概述工程名称：上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目建设单位：上海华虹NEC电子有限公司设计单位：信息产业电子第十一设计研究院有限公司施工单位：上海市第四建筑有限公司工程范围：地下室基坑土方开挖施工、深井降水1.2工程概况1)、工程地理位置及周围环境本工程是上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目，工程在原有厂区内建设。新建厂房的南侧为原有厂区变电所，北侧为动力厂房。厂区北靠川桥路、西接金豫路，东临申江路，南面为桂桥路，交通便捷，水电等基础设施齐全。本工程±0.00相当于绝对标高4.55m，自然地面标高－0.30m（相当于绝对标高4.25m），北区浅基坑底标高－2.10米，基坑面积约2900m2，开挖深度约1.80米，则浅基坑土方量约5220m3；南区深基坑面积约1080m2，坑底标高－6.90m，开挖深度约6.6米，开挖土方量约7128m3。深基坑采用Ф750直径的钻孔灌注桩进行挡围护，采用双排搅拌桩进行止水。浅基坑因开挖较浅，无围护措施，采用自然放坡开挖。本工程土方总开挖量约12348m2。2)、围护体系的设计概况本工程围护体系采用一排钻孔灌注桩(桩径为750、800、850)和水泥土搅拌桩止水帷幕的围护形式(南区采用三轴机、北区采用双轴机)。支撑采用4个角撑加南北对撑的形式，全部为Φ第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】609钢管支撑。在基坑底设搅拌桩对局部落深部位进行封闭加固，以利于整个围护体系的稳定性。3)、周边管线情况在基坑的东侧有一条雨水管和污水管，离基坑围护边的距离约4米，南侧有一条电缆沟和一条控制电缆，离搅拌桩最近的一条控制电缆的距离为1.2米，西侧的控制电缆离围护边为4米，在西南角转弯处离围护结构最近的一条电缆的距离为0.8米，北侧为开阔的浅坑部位。1.3本方案编制依据⑴根据大功率MOS集成电路生产线扩产项目设计图纸、基坑围护方案。⑵国家和行业颁布的有关现行施工规范和标准。⑶上海市有关《建筑工程现场文明施工管理办法》。⑷我公司现时的施工管理模式及设备、材料配备情况。⑸我公司同类工程经验及成果。2.工程特点和地质状况2.1工程特点本工程并区浅基坑开挖较浅（约1.80米），浅基坑采用常规的挖土工艺施工，其基坑边采用自然放坡，放坡比例为1：1。本工程南区深基坑开挖较深（约6.60米），根据围护方案采用钻孔灌注桩加搅拌桩止水进行围护，支撑系统为顶圈梁加设一道钢管支撑，支撑中心标高为－2.550米，支撑采用对撑形式，坑底局部暗墩搅拌桩加固，由于支撑及顶圈梁均落底，则深基坑宜采用分层开挖法。深坑采用深井进行坑内降水，降水深度为坑底以下0.5～1.0m。用以改善挖土条件和改良坑内土的物理、力学指标，提高基坑整体稳定的安全储备，进一步减小产生管涌的可能性。第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】2.2地质状况根据业主提供的地质勘察报告，地质情况简列如下表：土层编号土层名称层底标高(m)层厚(m)重度(KN/M3)1-1杂填土3.25-2.411.421-2浜填土1.47-0.911.412粉质粘土1.65-1.190.2318.53-1淤泥质粉质粘土-0.3—3.93.2917.73-2砂质粉土-0.24—3.640.9218.44淤泥质粘土-12.43—13.449.91516.8……………本工程基坑开挖主要涉及1-1杂填土、1-2浜填土、2层粉质粘土、3-1层淤泥质粉质粘土。　　具体地质情况详见本工程地质勘察报告。3.施工部署3.1施工思路3.1.1、整个工程的开挖深度分为两部分，分别为有地下室的深坑部位和无地下室的浅坑部位，两者的挖土标高分别为-6.8m和-2.80m.其中在地下室的深坑部位有1米深的集水井，其挖土标高为-7.80m。3.1.2、施工流程：清理场地→开挖南区深坑部位第一皮土至-2.2m→南区深坑部位开挖支撑和圈梁沟槽至支撑底标高-2.80m→南区砼圈梁制作及钢支撑准备就位，南北区交接处挖明排水沟开挖北区第一皮土至-2.8m→砼圈梁养护→安装钢支撑及施加预应力→支撑部位回土及铺设走道板→开挖深坑部位第二皮土。根据本工程地下水位状况，需在土方开挖前就应进行深井井点打设工作并开始降水,在地下水位降至支撑梁底后进行第一层土方开挖,支撑紧跟土方开挖顺序进行流水施工。第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】深坑第二层土（支撑以下土方）开挖须在支撑系统完成并施加预应力，地下水位降至基坑底以下0.5m～1m时方可开挖，为防止挖土机械直接碾压钢管支撑，在开挖前应对挖土机械行走路线处钢管支撑部位先进行回土并铺设钢走道板，确保挖土过程钢管支撑不受垂直荷载，可从一侧向另一侧分层分段进行，垫层施工紧跟其后。施工中须加强沉降、位移、地下水位等监测工作，以指导施工。基坑开挖时对成品及设备的保护要求较高，围护桩、支撑、深井管及基础桩头周边土方均需人工清除，承台及电梯井等深基坑土方需人工配合机械挖除。因本工程现场场地较小，挖出的土方不宜堆放在现场，随挖随运出工地并卸至指定地点。3.2施工段划分根据本工程深浅基坑分界线，将本工程划分为两个施工段，为南区(深坑部位)和北区(浅坑部位)，第一施工段为南区、第二施工段为北区。因土方量不大，根据现场的实际可先后施工或同时施工。3.3施工组织根据本工程规模和特点，组建项目经理部，由我公司委派具有丰富现场施工管理经验的项目经理，配备项目工程师、施工员、质量员、安全员等专业技术人员，使项目实现全面质量管理，以确保施工工序受控，建造业主满意工程。项目部组织机构网络如下图：项目经理项目副经理项目工程师施质资安设第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】工员检员料员全员备员施工班组4.施工进度计划土方开挖必须等到围护桩砼强度达到设计强度值，考虑基坑围护桩的养生期18天，在此期间同时进行深井井点打设、预降水及第一层基坑土方的开挖（第一层土方开挖约需7天）；砼圈梁施工及养护期13天（早强砼）；深坑支撑以下土方开挖、人工清槽4天。5.挖土施工方案5.1工程测量该工程占地面积较小，场地比较平坦通畅，这对施工平面控制网的布设比较有利，考虑该工程的实际情况采用外控法，一次性建立统一的平面施工控制网。5.1.1布网原则先整体，后局部，高精度控制低精度；控制点要选在拘束度大、安全、易保护的位置，通视条件良好，分布均匀。5.1.2施工控制网的测设⑴控制点引测根据常规施工，甲方应至少给出二个城市高程点，我项目并据此在场区内引测3个控制点，要求埋深1.0米，用砼浇注并以钢柱作标记，并测定高程作为工程定位放线依据，精度限差要求如下表：等级导线长度平均边长测角误差方位角闭合差导线相对闭合差二等1.0(km)200(m)±10(″)±20(″)1/10000第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】⑵控制网布设依据场内导线控制点，沿距建筑物基坑边坡线约5米远位置测设各轴线方向控制基准点，埋设外控基准点，要求埋深0.5m，并浇注砼稳固。⑶控制网加密和施工放线垫层施工完成后，要根据施工控制网精确测定建筑物位置，并进行控制网加密，各轴线交点要以红三角作标记，要求轴线间距、线垂直角必须附合规范要求。⑷轴线控制网的精度等级及测量方法根据《工程测量规范》要求控制网的技术指标必须符合下表的规定。等级测角中误差(″)边长相对中误差二级±121/15000⑸建筑坐标系的建立为便于施工中测量数据计算，需要建立建筑坐标系。施工中的数据计算，放样工作均应以此坐标系为依据。5.1.3高程控制⑴高程控制网起始依据：高程控制网依据业主提供场区内高程控制基点测设。⑵高程控制网的布设考虑到施测方便，高程控制网拟布设在基坑周边转角部位，100×100mm木方打入地下约1米深度，在该竖平面上涂上红色“＋”标志，并在旁侧注明相对标高。⑶高程控制网的精度等级及测量方法。根据《工程施工测量规范》标高控制网拟采用四等水准测量方法测定。水准测量的主要技术要求应符合下表的规定。等级每公里高差中数偶然中误差往返较差附合差第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】四等±5mm±20注：L为附合路线或闭合环线长度（以mm计）测量仪器选用DS3型水准仪，往返观测。水准观测的技术要求符合下表的规定。等级视线长度视线高度前后视距差前后视距累积差四等≤100m≥0.2m≤3m≤10m⑷基坑标高的控制本工程土方机械开挖，只留（30cm厚）人工清理土方，清理至设计基坑底标高处。在土方施工预留清底的30cm层面上，每隔3米设水平桩控制基底标高。土方开挖时派专人测量基底土层开挖标高，防止超挖。5.1.4测量质量保证措施⑴建立整个场区测量控制网，控制点采用钢制强制归心测站。⑵测量作业的各项技术按工程测量规范进行。5.2土方开挖5.2.1开挖原则必须确立绝对安全的指导思想，确保邻近建筑物和地下管线的正常使用，确保基坑坑壁的稳定，最大限度减小支护结构的变形。为此，确定基坑开挖的原则是：⑴分层开挖。⑵先撑后挖，先顶紧，后挖土。⑶有利于施工安全，提高工效。⑷先挖位移控制要求较低的区域，后挖位移控制要求较严格的区域。5.2.2机械选型和数量第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】从易用、环保、高效的角度出发，选用EX300型液压反铲挖土机，直接进行铲挖和装载作业，计划投入2台挖土机，运土车10～20辆，钢走板若干。5.2.3机械施工效率计算书⑴挖土机数量①挖土机台班生产能力式中：Qc——挖土机台班生产能力，m3/台班；E——挖土机铲斗容积，1.0m3；t——挖土机铲斗循环时间，30s；Kh——挖土机挖掘铲斗满斗系数，1.0；Kp——土方在铲斗中松散系数，1.2；T——挖土机台班工作时间，8h；η——挖土机时间利用系数，0.8;经计算得Qc=640m3，根据实际工作效率Qc取650m3。②挖土机数量式中：N——挖土机在籍数量，辆；Q——总土方量，12348m3；Qc——挖土机台班生产能力，600m3/台班；T0——土方开挖总工期，8d；C——每天工作台班，2个；K——挖土机工作系数，0.8；经计算得N=1.48台，取2台。⑵运土车辆数量①台班生产能力自卸汽车有效载重量为：第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】式中：QX——汽车有效载重量，m3；n——装载斗数，10斗；E——挖土机铲斗容积，1.0m3；KH——铲斗满斗系数，1.0；Kp——土方松散系数，1.2；经计算Qx=8.33m3。每装满一车所需时间按下式计算：式中：TE——装车时间，min；n——装车斗数，10斗；t——挖土机作业循环一次时间，30s;tr——汽车入换时间，20s;经计算TE=5.33min。汽车台班运输能力按下式计算：=67.3m3式中：A——汽车台班运输能力，m3;T——汽车周转一次时间，min；T=TE+ty+tq+tt=5.33+60+1+5=71.33minTE——装一车所需时间，5.33min；ty——汽车往返一次运行时间，min；=(40/40)×60=60min式中：L——平均运距，20km；V——汽车平均运行速度，40km/h;第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】tq——卸载时间，1min;tt——调停时间，5.0min；Qx——汽车有效载重量，8.33m3；Kz——汽车作业时间利用系数，0.85；A=47.64m3取50m3②自卸汽车数量=(650×1)/(50×0.9)=14.4辆，取14辆。式中：n——自卸汽车在籍数量，辆；Qc——每班运输量，650m3；K3——均衡系数，1.0；A——台班运输能力，50m3；K4——自卸汽车出车率，0.9；经计算需配运土车14辆（根据现场实际再作调整）⑶挖土机械设备配备根据以上参数，综合考虑本工程土方开挖配挖土机2～3台，配土方车14～20辆。5.2.4基坑土方开挖施工5.2.4.1第一层土开挖(1)第一皮土的挖土分为两部分进行，分别为南区的深坑部位和北区的浅坑部位。(2)南区深坑部位的第一皮大开挖深度为1.9m(-0.3~-2.2),待大面积挖除以后进行支撑围檩和钢支撑的放线工作。(3)确定好支撑和围檩的位置后进行支撑的沟槽开挖，开挖深度为0.6m，并将钢支撑就位，开挖土体留置在未开槽部位。第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】(4)北区浅坑部位的第一皮土开挖深度为2.5m(-0.30~-2.80)。(5)在开挖北区浅坑部位土体时在南北区交接处挖一条明排水沟。(6)根据第一皮土总的挖土量和挖土流程拟安排两台挖机由南向北退挖。5.2.4.2支撑围檩及支撑施工(1)在南区深坑部位的支撑和围檩的沟槽开挖好以后，组织施工人员按照围护图纸进行砼围檩施工和钢支撑的就位工作。(2)进行围护钻孔灌注桩的剥桩施工，并进行钢围檩的支座焊接施工。(3)进行钢围檩的拼装焊接，并进行吊筋的焊接工作。(4)在砼围檩达到设计强度后将钢支撑安装到位并进行预应力的施加。5.2.4.3第二层土方开挖(1)待围檩砼达到设计强度，在支撑表面覆土300厚的回填土再铺设钢走道板。(2)在开挖前进行地下水位的测量，水位达到地下室底板以下500mm以后方可进行开挖。(3)第二层土的开挖深度为4.9m(-1.9~-6.8)，拟安排一台挖机由西向东退挖。(4)人工清槽机械挖土一个工段结束后，即组织工人凿桩、截桩、开挖保护层及承台土方，开挖土方由人工运至下工段集中堆放，用挖土机装车运出。(5)临边土方的开挖在挖土过程中注意对围护桩、支撑、深井管及桩头的保护，开挖时由专人指挥，机械挖土时距围护桩、支撑、深井管及桩头的距离不得小于0.5m，周边土方由人工开挖。5.2.5土方开挖过程中应注意的问题⑴每次挖土之前必须进行水位观察，当水位降至开挖深度0.5m以下时方可挖土。第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】⑵要控制合理的开挖速度，挖机相互间的挖土深度基本保持平衡一致，在开挖过程中采用信息化指导施工，对监测数据每天进行记录、分析，随时注意基坑的变化情况，根据实际情况调整施工方案。⑶基坑底保留300mm以上的土用人工挖除，以保持坑底土体的原状结构。挖土时用水准仪随挖土进程引测高程，用小竹板桩作挖土标高控制点，每3米左右设立一根，以确保挖土标高和坑底平整。⑷成品及设施保护：机械挖土应与围护桩间留有不小于500mm的空隙，围懔下部土方采用人工清除，挖机不得碰撞围护桩及支撑及桩，用人工清除桩面土体。⑸人工清槽：清槽应在地基处理后进行，清槽时需配合测量人员，严格控制开挖标高。⑹基坑分段开挖，区段挖土结束后立即进行验槽，并随即浇筑掺早强剂砼垫层、砌筑承台砖胎模。无垫层坑底最大暴露面积不大于300m2，砼垫层直接浇捣至围护桩内侧面，使垫层能够起到一起支撑的作用，以减小桩体位移对周围环境所可能造成的有害影响。如基底土超挖，应用素混凝土或夯实回填。⑺所有施工机械行驶，停放要平稳，机械行走的上下坡道要加固，基顶周边要设有围护栏杆和安全标志，严禁从基坑顶乱扔物体、工具入基坑内。挖土机械和车辆不得直接在支撑上行走，施工人员必须要戴安全帽，基杭内应设有安全出口道，以供当基坑出现事故时，施工人员可以立即安全撤离。每层开挖深度应严格按设计要求进行、开挖面要有一定坡度，严禁采用“偷土”开挖，以免造成坍方事故。5.2.6土方开挖期间排水浅基坑：采用坑底明排水措施，在基坑边底板外侧人工开挖深50cm，宽60cm的排水沟，每隔一段设置集水井进行明排水。深基坑：采用深井降水降低地下水位，同时在坑底设备明排水沟及集水井进行辅助排水。第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】5.3基坑降水根据本工程的基坑开挖及基础底板结构施工的要求，本次降水目的：1）、通过降水及时疏干开挖范围内土层的地下水，使其得以压缩固结，以提高土层的水平抗力，防止开挖面的土体隆起。2）、在基坑开挖施工时做到及时降低基坑中的地下水位，保证基坑的干开挖施工的顺利进行。3）、及时降低下部承压含水层的承压水水头，防止基坑底部突涌的发生，以确保施工时基坑底板的稳定性。5.3.1降水方案本工程浅基坑采用人工明排水措施进行坑底排水，开挖至坑底时在基坑边用人工开挖一深50cm，宽60cm的明排水沟，每隔一定距离设置集水井用潜水泵进行排水。深基坑因开挖深度大于6.0米，采用常规的轻型井点难以保证降水效果，本工程采用深井进行降水。沿基坑长方向布设6口深井管。5.3.2降水施工5.3.2.1降水井构造与设计要求1）、井口：井口应高于地面以上0.50m，以防止地表污水渗入井内，一般采用优质粘土或水泥浆封闭，其深度不小于2.0m；2）、井壁管：降水井与降压井的井壁管均采用焊接钢管或PVC管，井壁管直径φ250mm（内径）；3）、过滤器（滤水管）：降水井与降压井均采用桥式滤水管，滤水管外均包一层30目～40目的尼龙网，滤水管的直径与井壁管的直径相同；4）、沉淀管：沉淀管主要起到过滤器不致因井内沉砂堵塞而影响进水的作用，沉淀管接在滤水管底部，直径与滤水管相同，长度为1.0m，沉淀管底口用铁板封死；5）、填砾料：降水井:各井从井底向上至地表以下2.00～4.00m均围填中粗砂；第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】6）、填粘性土封孔：在中粗砂的围填面以上采用优质粘土围填至地表并夯实，并做好井口管外的封闭工作；5.3.2.2、成井（孔）施工工艺与技术要求成孔施工机械设备选用XH－30型工程钻机（或GPS－10型钻机）及其配套设备。采用正循环回转钻进泥浆护壁的成孔工艺及下井壁管、滤水管，围填填砾、粘性土等成井工艺，成孔直径不小于500mm。成井工艺流程如下：1）、测放井位：根据降水（压）井井位平面布置图测放井位，当布设的井点受地面障碍物或施工条件的影响时，现场可作适当调整；2）、埋设护口管：护口管底口应插入原状土层中，管外应用粘性土或草辫子封严，防止施工时管外返浆，护口管上部应高出地面0.10m～0.30m；3）、安装钻机：机台应安装稳固水平，大钩对准孔中心，大钩、转盘与孔的中心三点成一线；4）、钻进成孔：降水井开孔孔径为φ500mm，均一径到底。钻进开孔时应吊紧大钩钢丝绳，轻压慢转，以保证开孔钻进的垂直度，成孔施工采用孔内自然造浆，钻进过程中泥浆密度控制在1.10～1.15，当提升钻具或停工时，孔内必须压满泥浆，以防止孔壁坍塌；5）、清孔换浆：钻孔钻进至设计标高后，在提钻前将钻杆提至离孔底0.50m，进行冲孔清除孔内杂物，同时将孔内的泥浆密度逐步调至1.10，孔底沉淤小于30cm，返出的泥浆内不含泥块为止；6）、下井管：管子进场后，应检查过滤器的缝隙是否符合设计要求。下管前必须测量孔深，孔深符合设计要求后，开始下井管，下管时在滤水管上下两端各设一套直径小于孔径5cm的扶正器（找正器），以保证滤水管能居中，井管焊接要牢固，垂直，下到设计深度后，井口固定居中；7）、填砾料（中粗砂）：填砾料前在井管内下入钻杆至离孔底0.30m～0.50m，井管上口应加闷头密封后，从钻杆内泵送泥浆进行边冲孔边逐步调浆使孔内的泥浆从滤水管内向外由井管与孔壁的环状间隙内返浆，使孔内的泥浆密度逐步调到1.05,第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】然后开小泵量按前述井的构造设计要求填入砾料，并随填随测填砾料的高度。直至砾料下入预定位置为止。8）、井口封闭：为防止泥浆及地表污水从管外流入井内，在地表以下回填4.00m厚粘性土止水，或采用水泥浆封孔。9）、洗井：在提出钻杆前利用井管内的钻杆接上空压机先进行空压机抽水，待井能出水后提出钻杆再用活塞洗井，活塞必须从滤水管下部向上拉，将水拉出孔口，对出水量很少的井可将活塞在过滤器部位上下窜动，冲击孔壁泥皮，此时应向井内边注水边拉活塞。当活塞拉出的水基本不含泥砂后，可换用空压机抽水洗井，吹出管底沉淤,直到水清不含砂为止。10）、安泵试抽：成井施工结束后，在降水井内及时下入潜水泵与接真空管、排设排水管道、地面真空泵安装、电缆等，电缆与管道系统在设置时应注意避免在抽水过程中不被挖土机、吊车等碾压、碰撞损坏，因此，现场要在这些设备上进行标识。抽水与排水系统安装完毕，即可开始试抽水。先采用真空泵与潜水泵交替抽水，真空抽水时管路系统内的真空度不宜小于-0.06MPa，以确保真空抽水的效果。11）、排水:洗井及降水运行时应用管道将水排至场地四周的明渠内，通过排水渠将水排入场外市政管道中。5.3.2.3、降水运行：1）、试运行A、试运行之前，准确测定各井口和地面标高、静止水位，然后开始试运行，以检查抽水设备、抽水与排水系统能否满足降水要求。B、降水的设备(主要是潜水泵和真空泵)在施工前及时做好调试工作，确保降水设备在降水运行阶段运转正常。C、在降水井的成井施工阶段应边施工边抽水，即完成一口投入降水运行一口，力争在基坑开挖前，将基坑内地下水降到基坑底开挖面以下0.5m～1.0m深。水位降到设计深度后，即暂停抽水，观测井内的恢复水位。2）、降水运行A、坑内的降水井应在基坑开挖前十五天进行，做到能及时降低连续墙内基坑中的地下水位；第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】B、坑内降水井抽水时，潜水泵的抽水间隔时间自短至长，每次抽水井内水抽干后，应立即停泵，对于出水量较大的井每天开泵的抽水的次数相应要增多。C、降水运行过程中，做好各井的水位、抽水量的观测工作，尤其要加强对观测井的水位测定，及时掌握承压含水层水头的变化情况。D、降水运行期间，现场实行24小时值班制，值班人员应认真做好各项质量记录，做到准确齐全。E、降水运行过程中对降水运行的记录，应及时分析整理，绘制各种必要图表，以合理指导降水工作，提高降水运行的效果。降水运行记录每天提交一份，对停抽的井应及时测量水位，每天1～2次。3）、降水运行的注意事项A、应做好基坑内的明排水准备工作，以防基坑开挖时遇降雨能及时将基坑内的积水抽干；B、降水运行阶段应经常检查泵的工作状态，一旦发现不正常应及时调泵并修复；C、降水运行阶段应保证电源供给，如遇电网停电，有关单位须提前两个小时通知降水施工人员，以便及时采取措施，保证降水效果。D、降水工作应与开挖工作密切配合，根据开挖的顺序、开挖的进度等情况及时调整降水井的运行数量。5.3.3、降水运行技术措施1）、降水运行开始阶段是降水工程的关键阶段，为保证在开挖时及时将地下水降至开挖面以下，因此在洗井过程中，洗井完一口井即投入一口，尽可能提前抽水。2）、降水的设备（主要是潜水泵与真空泵）在施工前及时做好调试工作，确保降水设备在降水运行阶段运转正常。3）、工地现场要备足潜水泵，数量多于井数的2～4台。使用的潜水泵要做好日常保养工作，发现坏泵应立即修复，无法修复的应及时更换。4第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】）、降水工作应与开挖施工密切配合，根据开挖的顺序、开挖的进度等情况及时调整降水井的运行数量。5）、降水运行阶段，电源必须保证，如遇电网停电，甲方须提前二个小时通知施工单位，以便及时采取措施，确保降水的效果。6.主要机械及劳动力计划6.1主要机械设备计划序号机械或设备名称型号规格单位数量备注1反铲挖掘机1.0m3台2－3挖土作业2载重自卸汽车10T辆15～203钢走道板1*6.0米块若干4工程钻机GPS－10（XH－30）台1深井降水5潜水泵QDX3-25-0.75台66深井潜水泵QJ10-35/5.5台67真空泵2S-230台26.2劳动力计划序号工种数量备注1管理人员52挖土机司机43运输车司机304辅助工105勤杂8第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】6钻探工47井点降水管埋设、降水47.质量保证措施7.1相关措施建立以我公司项目经理部经理为首的质量管理体系，以实行全面质量管理。特别要通过以下几方面加强质量管理。⑴认真贯彻我公司按照ISO9002标准制订的“质量手册”和各个工作程序文件。确保每道工序受控，使各部分项工程达到我国现行工程质量检验评定标准的要求。⑵严格遵守现行有关的施工验收规范和规程。⑶开工前组织有关工程技术人员及各工种负责人、主要操作人员做好施工组织设计和施工方案的优化工作，施工组织设计、施工方案必须经技术负责人审批后方可执行。在施工过程中，施工人员须严格按施工组织设计的要求实施，不得随意更改。⑷工程技术组全面负责质量，技术人员跟班作业，及时解决施工中出现的问题，并做好施工报表记录，对工程技术资料进行收集整理，确保技术资料的及时性、正确性和完整性。⑸健全测量“两级”交接制，把好施工制作、测量、试验关。⑹技术资料真实、齐全、字迹清楚工整、表格使用正确，填写格式、内容符合要求，签字手续齐全，及时收集整理，分门别类装订组册。竣工资料一式4份，甲方2份，施工单位2份，竣工30天后把整好的全部资料移交技术部。7.2降水质量保证措施1)、施工质量标准及技术交底工作要严格按供水管井技术规范、降水方案设计要求和各项规定进行，开工前进行技术交底。2)、施工交接班质量检验要贯岗检查的精神，严格执行“第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】班组施工十不交制度”。3)、降水井质量验收标准：A、井深的弯曲度：井身应圆正，井的顶角及方位角不能突变。B、井管的安装误差：井管应安装在井的中心，上口保持水平，井管与井深的尺寸偏差不得超过全长的±0.2%，过滤管安装上下偏差不得超过30mm。C、井的含砂量：抽水稳定后，承压井的水含砂量不得超过万分之一(体积比)。7.3挖土质量保证措施1)、严格按甲方和监理审核后的施工方案和规定的标高施工，不随意更改施工方案，在开挖时应注意保护测量定位控制桩、轴线桩、水准基桩，防止被挖土和运土机械设备碰撞，行驶破坏。2)、开挖最下一层土方时，随挖随浇垫层，无垫层坑底最大暴露面积不大于200平方米，基坑四周设排水沟、集水井、场地保持一定的坡度，以防雨水浸泡基坑和场地。夜间施工应设足够的照明，防止地基边坡超挖。3)、土方开挖时，挖土机械不得碰撞支撑杆件、基坑支护结构、桩头，在开挖全过程中要做好保护工作，不得随意拆除和损坏。4)、在施工前，做好全体施工人员及挖机驾驶员的技术交底和施工指导工作，贯彻落实甲方的施工意图和原则，从思想上重视工程的施工。8.进度保证措施为了加快施工进度，缩短工期，加强管理，精心组织施工，确保工期，力争提前完工，施工采取以下保证措施：⑴实际施工时本工程分项工程较多，包括降水、砼圈梁、钢支撑、土方挖运及地基处理等分项，合理安排施工水流段，布署砼圈梁及支撑与土方挖运穿插进行，各工序间衔接紧密。⑵做好材料计划、供应工作及机械设备检验维修工作，避免因材料供应不及、机械设备停修造成误工、误时。第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】⑶施工安排二大班作业，如夜间施工扰民或民扰情况严重可安排一班作业。⑷计划配备的施工机械要到位，并要保证其能正常运转。⑸计划投入的施工人员要到位。⑹在此施工阶段的各种不可预见因素比较多，如有异常情况要针对施工情况及时采取措施。⑺做好场内外的组织协调工作，修好场内运输道路，确保雨季施工。⑻严格检查每天的计划落实情况，以便及时采取对策。⑼每周召开一次施工协调会，检查本周工作完成情况，分析解决施工中存在的问题，安排下周的工作计划。⑽围护结构及圈梁浇筑的砼掺早强剂，可大大缩短间歇时间，缩短总工期。9.安全生产措施⑴严格执行OHSAS18000安全管理体系，现场认真贯彻落实“安全为了生产，生产必须安全”的安全生产方针，严格落实安全生产管理制度。⑵现场成立文明安全施工领导小组，由本工程项目经理任组长，设专职安全员，根据我公司制定的文明安全施工的规章制度，落实安全管理人员岗位责任制。⑶进入现场必须戴好安全帽，系好帽带。机动车驾驶员应持证上岗，遵守交通规则，避免交通事故的发生。⑷设专人定时定期对基坑边坡进行检查，如发现问题及时向项目经理部汇报，避免事故的发生，严禁向基坑内倾倒生活及施工垃圾。⑸基坑四周2.0m范围内，严禁堆放重物。⑹布置任务时要进行详细的安全技术交底，做好记录。施工中严格执行安全操作规程。第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】⑺加强临时用电和排水管理，专箱专用，专人负责，电箱必须有良好的防雨水措施和接地保护装置。雨季安排专人日夜对基坑维护、周边建筑和坑内外积水情况进行检查，积水应及时清除。⑻基坑四角用Φ48钢管搭设施工人员上下楼梯通道。⑼坑下人员休息要远离基坑边及放坡处，以防不慎。(10)运土道路的坡度、转弯半径要符合有关安全规定。(11)挖掘机工作前应对发动机传动机构作业装置制动部分各种仪表进行检查，确认情况正常后，开始工作，在机械周围没有任何障碍物的情况下进行操作。(12)挖掘机工作时应处于平稳位置，并制动住行走机械，配合作业机械应在挖掘机停止工作的情况下进行操作，禁止用铲斗破碎石块等物。(13)工作时、铲斗一次性不应一次性掘进太深，提斗不宜过猛，落斗要轻快，回转和制动要平稳。10.文明施工措施⑴现场出入口处，配备专人指挥调度车辆，汽车司机遵守交通法规和有关规定，在工地四周禁鸣喇叭，按指定线路行驶，按指定地点卸土。夜间的施工作业时间为晚上10:00以前。⑵遵守市有关环卫、市容、交通、文明施工等的有关规定，汽车驶出现场时，配备专人检查装土情况，关好车槽和挡板，拍实车槽内土方，加盖彩条布或帆布以防途中撒土。在门口处设洗车槽和高压洗车水枪，对汽车轮胎进行冲洗，经人检查后方可出场。⑶加强对施工人员管理，杜绝打架斗欧、赌博等危害社会治安情况发生。⑷工地四周围护整齐，场内设立简易厕所，场地材料堆放整齐，加强工人消防意识，防止发生火灾。第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】11.雨季施工措施⑴设专人负责与气象部门联系，及时收听天气预报，随时掌握气象变化情况，以供施工参考。⑵积极做好雨期施工的各项准备工作，对全体施工人员进行一次雨期施工质量、安全生产教育。⑶必须保证雨期临时施工道路畅通无阻，基坑内运输道路铺设钢板，斜道铺设碎石路面，确保小雨天气及雨后能及时作业，遇有大中雨时停止土方开挖及运输作业。⑷雨天安排专人对基坑围护、周边建筑和坑内外积水情况进行检查，如有积水必须及时抽排清除，遇有其他险情及时上报处理。⑸雨季施工时开挖面不得留有陡坡，停工后机械应远离开挖面停放。12.相关工序间的协作12.1降水工程⑴降水需在土方开挖前一至二周进行，地下水降低至相应标高方可开始进行相应的土方开挖。⑵降水单位应加强对深井的维护，并按规定清洗滤井，冲除沉渣。同时应确保围填砂砾滤料的施工质量，对出水浑浊的井点管应予整改。⑶坑内降水时必须监测坑外水位变化情况，坑内降水不应影响坑外的水位变化，根据监测情况对降水施工进行调整。12.2加强基坑围护结构监测数据的反馈监测单位设专人与我单位专人保持密切联系，妥善处理好施工和监测设备埋设间的相互干扰，及时提供工作面，创造条件保证监测埋设工作的正常进行。在施工过程中，教育好全体施工人员采取切实有效措施，防止一切观测设备、观测桩点等受到机械和人为的损坏，保证监测工作顺利进行。第23页共22页 上海华虹NEC电子有限公司大功率MOS集成电路生产线扩产项目【基坑土方工程开挖施工方案】第23页共22页'